推薦產(chǎn)品
聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用[ 02-26 13:37 ]
- 回溯半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個(gè)時(shí)代。第一代半導(dǎo)體材料主要是硅和鍺，上世紀(jì)60年代之后，硅基半導(dǎo)體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應(yīng)用最為廣泛的半導(dǎo)體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎(chǔ)材料制成的。第二代半導(dǎo)體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來(lái)看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導(dǎo)體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車
- SiC碳化硅——功率半導(dǎo)體皇冠上的明珠[ 02-24 14:26 ]
- 在近兩年技術(shù)產(chǎn)品發(fā)布上，“SiC碳化硅”成為所有跨國(guó)零部件供應(yīng)商和主機(jī)廠的經(jīng)常提起的明星產(chǎn)品，包括麥格納、博格華納、馬勒、大陸集團(tuán)等等，都紛紛宣稱他們用了碳化硅。 例如奔馳今年初的發(fā)布的EQXX，就宣稱：“搭載最大功率150kW的后橋電機(jī)，應(yīng)用了碳化硅功率模塊，進(jìn)一步降低了損耗。” 可以想像的是，未來(lái)汽車都會(huì)電動(dòng)化，那么對(duì)SiC碳化硅功率器件的需求是龐大的。市場(chǎng)調(diào)研咨詢公司Yole發(fā)布的預(yù)測(cè)顯示，從現(xiàn)在到2025年，碳化硅市場(chǎng)每年的增速將達(dá)到30%，市場(chǎng)規(guī)
- SiC碳化硅在電動(dòng)車中起到什么作用？[ 02-22 14:12 ]
- 舉個(gè)例子，現(xiàn)在很多人手機(jī)都用上了“氮化鎵”充電器，這種新材料充電器體積非常小，但發(fā)熱小充電效率很高。而汽車用SiC碳化硅就是與消費(fèi)電器里氮化鎵一樣神奇的功率半導(dǎo)體。 首先說(shuō)說(shuō)SiC碳化硅的作用。一輛電動(dòng)車充電的時(shí)候，它需要把交流電轉(zhuǎn)換成直流電，然后存儲(chǔ)在鋰電池中。鋰電池中的高壓直流轉(zhuǎn)化為交流電，然后提供交流電動(dòng)機(jī)使用。 上面這些交流—直流—交流等復(fù)雜的變換過(guò)程，我們稱為整流或逆變，很不幸這個(gè)過(guò)程都需要發(fā)熱，都會(huì)產(chǎn)生功率損耗。 電動(dòng)汽車涉及功率半導(dǎo)體的
- 碳化硅功率模塊的應(yīng)用[ 02-21 12:18 ]
- 碳化硅模塊是支撐各種工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一，相比傳統(tǒng)硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結(jié)溫、更低寄生電感、更低熱阻等特性。在需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高主開(kāi)關(guān)頻率的尖端電力電子設(shè)備的性能升級(jí)過(guò)程中，現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD（快恢復(fù)二極管）的性能已無(wú)法完全滿足要求，需要高性能與性價(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。 隨著SiC技術(shù)的日趨成熟和商業(yè)化應(yīng)用，其獨(dú)特的耐高溫性能不斷加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃邁向175℃，甚至已出現(xiàn)了200℃的產(chǎn)品。借助于這種獨(dú)特的高溫特性和低開(kāi)關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)，可以為未來(lái)的高
- 燒結(jié)溫度對(duì)SiC多孔陶瓷性能的影響[ 02-20 08:36 ]
- (1)XRD分析表明，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度逐漸升高，在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度最高，這是因?yàn)闊Y(jié)溫度較高導(dǎo)致了SiC表面發(fā)生了氧化反應(yīng)，形成了致密的氧化膜，包覆了SiC。 (2)氣孔率測(cè)試發(fā)現(xiàn)，隨著燒結(jié)溫度的升高，SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢(shì)，在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1％。 (3)分析發(fā)現(xiàn)，在1600和1630℃下燒結(jié)的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多，且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散；隨著燒結(jié)溫度的升高，小顆粒相逐漸減少，斷面出現(xiàn)了較多的氣孔，且
