聯(lián)系金蒙新材料
- 絲瓜衍生環(huán)保型碳化硅陶瓷基復(fù)合相變材料[ 02-19 10:22 ]
- 據(jù)悉南京航空航天大學(xué)低碳航空動力與綠色能源創(chuàng)新團隊宣益民院士、劉向雷教授等人在Energystoragematerials上發(fā)表了題為“Loofah-derivedeco-friendlySiCceramicsforhigh-performancesunlightcapture,thermaltransport,andenergystorage”的研究論文。該工作在團隊前期研究（Mater.TodayEnergy,21(2021)100764；Sol.EnergyMaterSol.Cells
- 河南：積極布局5G、半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，重點發(fā)展碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料[ 02-18 08:40 ]
- 在5G方面，要培育引進一批5G智能終端、通信模組、天饋線、5G小型化基站設(shè)備、5G高頻元器件等制造企業(yè)和項目，加快形成5G關(guān)鍵器件及材料生產(chǎn)能力。建設(shè)5G產(chǎn)品監(jiān)測、認(rèn)證、入網(wǎng)檢測等公共服務(wù)平臺，搭建5G創(chuàng)新中心，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合服務(wù)水平。實施5G融合應(yīng)用工程，重點推動5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧農(nóng)業(yè)、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域融合應(yīng)用，打造一批5G標(biāo)桿應(yīng)用場景。 在半導(dǎo)體方面，積極布局半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導(dǎo)體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
- 碳化硅單晶襯底是半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵一環(huán)[ 02-17 10:08 ]
- 碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設(shè)計、制造工藝等各個環(huán)節(jié)。相對傳統(tǒng)硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導(dǎo)體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)也會遇到新的問題與挑戰(zhàn)。 SiC半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 從技術(shù)的角度來說，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類器件。傳統(tǒng)的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實現(xiàn)晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯、層錯等）。 即是說
- SiC功率器件已逐步滲透到生活中的方方面面[ 02-16 10:03 ]
- 以碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體碳化硅（SiliconCarbide）為材料制作的功率半導(dǎo)體器件，因其所具備的優(yōu)異性能與先進性，多年來一直作為“理想的元器件”而備受矚目。SiC功率元器件現(xiàn)已逐漸成為我們現(xiàn)代日常生活中所普遍使用的“身邊的”元器件。 例如，家庭里的SiC有PC電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（家庭用）、空調(diào)等；工業(yè)中的SiC有數(shù)據(jù)中心、UPS、工廠搬運機器人、高頻感應(yīng)加熱設(shè)備（IH）與高頻電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（太陽能發(fā)電站等非家庭用）等；城市里的Si
- 碳化硅單晶制備技術(shù)的難點[ 02-15 10:16 ]
- 碳化硅單晶制備技術(shù)包括PVT法（物理氣相傳輸法）、溶液法和高溫氣相化學(xué)沉積法等，目前商用碳化硅單晶生長均采用PVT法。PVT法制備碳化硅單晶的難度在于： ①碳化硅單晶生長設(shè)備設(shè)計與制造技術(shù)。碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術(shù)中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項性能指標(biāo)，為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場實現(xiàn)條件。 ②碳化硅粉料合成過程中的環(huán)境雜質(zhì)多，難以獲得高純度的粉料；作為反應(yīng)源的硅粉和碳粉反應(yīng)不完全易造成
