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聯(lián)系金蒙新材料
- 關于碳化硅市場近期走勢分析[ 03-26 08:52 ]
- 據(jù)磨庫網(wǎng)訊在最新一期磨友圈直播過程中，碳化硅資深人士楊荻帆，百川盈孚碳化硅行業(yè)分析師楊甜珍等業(yè)內(nèi)人士分析了碳化硅一季度的市場行情及未來走勢。 楊荻帆表示，近期碳化硅價格漲聲一片，其上漲原因主要取決于石油焦原料價格上漲。 綠碳化硅的價格創(chuàng)歷史新高，很多廠家呈觀望狀態(tài)。接下來，根據(jù)石油焦的漲勢，原塊價格有突破15000元/噸的可能，可能會持續(xù)到8月份，總體來說形勢不容樂觀。 黑碳化硅方面，目前一級塊交易較多，隨著石油焦的漲幅，后期慢漲的可能性比較大。 楊總說，走訪山東、江蘇等地區(qū)的碳化硅生廠家時
- 半絕緣型碳化硅襯底的主要應用[ 03-24 16:23 ]
- 半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應用于眾多領域，以無線通信基礎設施和國防應用為主。無線通信基礎設施方面，5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點，要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件，以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優(yōu)勢，能夠提供下一代高頻電信網(wǎng)絡所需要的功率和效能，成為5
- 導電型碳化硅襯底的主要應用[ 03-23 16:21 ]
- 導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上，需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片，并在外延層上制造各類功率器件。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優(yōu)勢，將極大地提高現(xiàn)有使用硅基功率器件的能源轉(zhuǎn)換效率，對高效能源轉(zhuǎn)換領域產(chǎn)生重大而深遠的影響，主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)等。
- 碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學性能[ 03-22 16:17 ]
- 去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠景目標綱要”明確提出，我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體新材料新技術產(chǎn)業(yè)化進程，催生一批高速成長的新材料企業(yè)。 作為第三代半導體代表材料，碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學性能。 力學性能：高硬度（克氏硬度為3000kg/mm2），可以切割紅寶石；高耐磨性，僅次于金剛石。 熱學性能：熱導率超過金屬銅，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散熱性能好，對于大功率器件非常重要。 化學性能：耐腐蝕性非常
- 華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術和數(shù)字技術成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術帶來了
