國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離[ 09-22 16:16 ]

碳化硅生產(chǎn)過(guò)程主要包括碳化硅單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件三大環(huán)節(jié)。 我們把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段，2019-2021年初期，特斯拉等新能源汽車開(kāi)始試水搭載SiC功率器件；2022-2023年為拐點(diǎn)期，SiC在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用已經(jīng)達(dá)到了批量生產(chǎn)的臨界區(qū)域，并且充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用逐步采用SIC器件；2024-2026年為爆發(fā)期，SIC加速滲透，在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等得到廣泛應(yīng)用。 當(dāng)前，碳化硅MOS

國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)[ 09-21 15:14 ]

當(dāng)前外延主要以4英寸及6英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當(dāng)前6英寸碳化硅襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從4英寸向6英寸過(guò)渡。在未來(lái)幾年里，大尺寸碳化硅外延片占比會(huì)逐年遞增。由于4英寸碳化硅襯底及外延的技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，因此，4英寸碳化硅外延晶片已不存在供給短缺的問(wèn)題，其未來(lái)降價(jià)空間有限。此外，雖然當(dāng)前國(guó)際先進(jìn)廠商已經(jīng)研發(fā)出8英寸碳化硅襯底，但其進(jìn)入碳化硅功率器件制造市場(chǎng)將是一個(gè)漫長(zhǎng)的過(guò)程，隨著8英寸碳化硅外延技術(shù)的逐漸成熟，未來(lái)可能會(huì)出現(xiàn)8英寸碳化硅功率

國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)[ 09-20 16:11 ]

當(dāng)前，國(guó)內(nèi)廠商碳化硅襯底生產(chǎn)的技術(shù)指標(biāo)與國(guó)際主流廠商相比仍有明顯差距。碳化硅襯底正在不斷向大尺寸的方向發(fā)展，目前行業(yè)內(nèi)公司主要量產(chǎn)襯底尺寸集中在4英寸及6英寸。在最新技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備上，以行業(yè)領(lǐng)先者WolfSpeed公司的研發(fā)進(jìn)程為例，WolfSpeed公司已成功研發(fā)8英寸產(chǎn)品。為提高生產(chǎn)效率并降低成本，大尺寸是碳化硅襯底制備技術(shù)的重要發(fā)展方向，襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低；襯底的尺寸越大，邊緣的浪費(fèi)就越小，有利于進(jìn)一步降低芯片的成本。由于現(xiàn)有的6英寸的硅晶圓產(chǎn)線可以升級(jí)改造用于生產(chǎn)Si

碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)[ 09-19 17:07 ]

碳化硅在半導(dǎo)體中存在的主要形式是作為襯底材料，基于其優(yōu)良的特性，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。碳化硅器件優(yōu)點(diǎn)如下： （1）耐高壓。擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。所以在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，與硅基相比可以設(shè)計(jì)成更小的體積，約為硅基器件的1/10。 （2）耐高溫。半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會(huì)產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。

三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)[ 09-08 17:45 ]

生長(zhǎng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高，其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中，氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體；液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長(zhǎng)需要的SiC粉體；固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣，合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長(zhǎng)用高純SiC的方法并不多，以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主，其中氣相法合成的粉體多為納米級(jí)，生產(chǎn)效率低，無(wú)法滿足工業(yè)需求；同時(shí)，固相法制備過(guò)程的眾多雜質(zhì)中，N元素的含量一直