在近兩年技術產品發(fā)布上，“SiC碳化硅”成為所有跨國零部件供應商和主機廠的經常提起的明星產品，包括麥格納、博格華納、馬勒、大陸集團等等，都紛紛宣稱他們用了碳化硅。

例如奔馳今年初的發(fā)布的EQXX，就宣稱：“搭載最大功率150kW的后橋電機，應用了碳化硅功率模塊，進一步降低了損耗。”

可以想像的是，未來汽車都會電動化，那么對SiC碳化硅功率器件的需求是龐大的。市場調研咨詢公司Yole發(fā)布的預測顯示，從現(xiàn)在到2025年，碳化硅市場每年的增速將達到30%，市場規(guī)模將超過25億美元。

當規(guī)模達到15億美元時，搭載碳化硅器件的汽車將占據(jù)市場主導地位。

而功率半導體SiC碳化硅和IGBT量產化，集中在德國英飛凌Infineon，恩智浦NXP，意法半導體STM，安森美ONsemi等少數(shù)幾家，特別是英飛凌的優(yōu)勢很明顯。

國內目前能夠實現(xiàn)自主研發(fā)到量產的廠商是比亞迪，旗下的比亞迪半導體產品包含了主流的IGBT，以及高端產品SiC碳化硅MOFEST等，覆蓋十分全面。

比亞迪半導體SiC車用功率模塊，結構十分緊湊，僅一個手掌大小，輸出功率250KW。自產SiC功率半導體也讓比亞迪電動車在電機驅動上帶來明顯的效率提升，并使電機驅動控制器體積減小60%以上。

正是因為SiC碳化硅的重要性，汽車零部件排名第一的博世，兩年前宣布將繼續(xù)推進碳化硅芯片研發(fā)并實現(xiàn)量產。

博世的量產不僅是SiC封裝的模塊，而是從最基礎的晶圓、芯片開始大批量生產。

2021年博世已在羅伊特林根晶圓工廠增建了1000平方米無塵車間，2023年底還將新建3000平方米無塵車間。目前使用的150毫米晶圓，而很快計劃使用200毫米晶圓制造，單個晶圓需花費數(shù)月時間才能在無數(shù)機器設備中完成上百個工藝步驟。

博世將繼續(xù)擴大碳化硅功率半導體的產能，計劃將產出提高至上億顆的水平。同時著手研發(fā)功率密度更高的第二代碳化硅芯片，預計將于2022年投入大規(guī)模量產。

未來要實現(xiàn)我們電動車的“彎道超車”夢，必須在關鍵技術上有突破。而對于電動車來說，SiC碳化硅功率芯片，是我們最需要突破的技術。