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燒結(jié)溫度對(duì)SiC多孔陶瓷性能的影響

文章出處:先進(jìn)陶瓷材料網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:先進(jìn)陶瓷材料人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-02-20 08:36:00【

(1)XRD分析表明,隨著燒結(jié)溫度的升高,SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度逐漸升高,在1690℃時(shí)SiO2的特征衍射峰強(qiáng)度最高,這是因?yàn)闊Y(jié)溫度較高導(dǎo)致了SiC表面發(fā)生了氧化反應(yīng),形成了致密的氧化膜,包覆了SiC。

(2)氣孔率測(cè)試發(fā)現(xiàn),隨著燒結(jié)溫度的升高,SiC多孔陶瓷的氣孔率呈現(xiàn)出先降低后增加的趨勢(shì),在1660℃時(shí)氣孔率最低為32.1%。

(3)分析發(fā)現(xiàn),在1600和1630℃下燒結(jié)的SiC多孔陶瓷中的小顆粒較多,且SiC多孔陶瓷的顆粒較為分散;隨著燒結(jié)溫度的升高,小顆粒相逐漸減少,斷面出現(xiàn)了較多的氣孔,且部分氣孔尺寸較大,SiC陶瓷整體逐漸收縮緊密;繼續(xù)升高燒結(jié)溫度,晶粒逐漸長(zhǎng)大,整體的致密性有降低的趨勢(shì)。

(4)力學(xué)性能分析發(fā)現(xiàn),隨著燒結(jié)溫度的升高,SiC多孔陶瓷的壓縮強(qiáng)度先升高后輕微下降,在1660℃時(shí)壓縮強(qiáng)度達(dá)到了最大值25.6MPa,相比1600℃,壓縮強(qiáng)度提高了46.9%。

(5)油水分離測(cè)試發(fā)現(xiàn),隨著燒結(jié)溫度的升高,SiC多孔陶瓷的膜通量出現(xiàn)了先降低后有略微升高的趨勢(shì),截留率出現(xiàn)了先升高后輕微降低的趨勢(shì)。在燒結(jié)溫度為1660℃時(shí),膜通量最低為553.8L/(m2·h),截留率最高為91.5%??梢姰?dāng)燒結(jié)溫度為為1660℃時(shí),多孔SiC陶瓷的油污分離以及廢水處理性能最佳。

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