聯(lián)系金蒙新材料
- SiCMOSFET器件的商業(yè)化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年來，以碳化硅為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁帶寬度，10倍于硅材料的臨界擊穿電場強度，3倍于硅材料的熱導率，因此SiC功率器件適合于高頻、高壓、高溫等應用場合。 其中SiCMOSFET是最為成熟、應用最廣的SiC功率開關器件，具有高開關速度、低損耗和耐高溫等優(yōu)點，被認為是替代硅IGBT的最佳選擇。SiCMOSFET是一種具有絕緣柵結(jié)構(gòu)的單極性器件，關斷過程不存在拖尾電流，降低了開關損耗，進而減小散熱器體積；并且其開關速度快，開關頻率高，有利于減小變換器中電感
- 碳化硅功率器件相關標準立項通過[ 03-18 15:54 ]
- 據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 近期，由江蘇宏微科技有限公司、重慶大學聯(lián)合牽頭，泰克科技（中國）有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司、北京海瑞克科技發(fā)展有限公司、廣州電網(wǎng)有限公司電力科學研究院等單位聯(lián)合提交的《碳化硅MOSFET開關運行條件下閾值穩(wěn)定性測試方法》團體標準提案，經(jīng)CASA標準化委員會（CASAS）管理委員會審核，根據(jù)《CASA管理和標準制修訂細則》，上述團體標準提案立項通過，分配編號為：CASA024。
- 碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術[ 03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片經(jīng)過清洗可以有效去除表面沾污和雜質(zhì)，同時保證不引入新的雜質(zhì)，從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導體下游客戶的要求。 傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
- 低翹曲度碳化硅晶體切割技術難點[ 03-16 15:44 ]
- 碳化硅的莫氏硬度為9.5，硬度與金剛石接近，只能用金剛石材料進行切割，切割難度大，保證切割過程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術難點之一。 為了達到下游外延開盒即用的質(zhì)量水平，需要對碳化硅襯底表面進行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆?？刂埔蟆? 化學機械拋光屬于化學作用和機械作用相結(jié)合的技術，碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學反應，生成一層相對容易去除的軟質(zhì)層，然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質(zhì)層，在化學作用和機械作用的交替進行的過程中完成表面拋光，過程較為
- PVT碳化硅晶體生長技術難點[ 03-15 15:42 ]
- 目前碳化硅單晶的生長方法主要包括以下三種：液相法、高溫化學氣相沉積法、物理氣相傳輸法（PVT）。其中PVT法是目前SiC單晶生長研究最多、最成熟的技術，其技術難點在于： （1）碳化硅單晶在2300°C以上高溫的密閉石墨腔室內(nèi)完成“固-氣-固”的轉(zhuǎn)化重結(jié)晶過程，生長周期長、控制難度大，易產(chǎn)生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅單晶包括200多種不同晶型，但生產(chǎn)一般僅需一種晶型，生長過程中易產(chǎn)生晶型轉(zhuǎn)變造成多型夾雜缺陷，制備過程中單一特定晶型難以穩(wěn)定控制，例如目前主流的4H型。
