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- “國內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進發(fā)布上市以來的首份年報[ 04-21 17:12 ]
- 近期，“國內(nèi)碳化硅第一股”天岳先進發(fā)布上市以來的首份年報。2021年，該公司實現(xiàn)營收4.94億元，同比增長16.25%；歸母凈利潤8995.15萬元，實現(xiàn)扭虧為盈，較上年同期增加7.31億元。去年銷售襯底約5.7萬片，產(chǎn)能持續(xù)提升。 資料顯示，天岳先進是國內(nèi)寬禁帶半導體（第三代半導體）襯底材料生產(chǎn)商，主要從事碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應用于微波電子、電力電子等領域。今年1月12日，天岳先進正式在科創(chuàng)板上市，成為“國內(nèi)碳化硅第一股”。 天岳先進
- 碳化硅功率器件市場至2027年或翻6倍[ 04-20 14:07 ]
- 碳化硅襯底可以分為半絕緣碳化硅襯底和低阻碳化硅襯底。近年來，隨著5G產(chǎn)業(yè)發(fā)展勢頭的慢慢平穩(wěn)，低阻碳化硅襯底逐漸要扛起碳化硅產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展的大旗。據(jù)YOLE預測，2021年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模約為10.9億美金，而到2027年全球碳化硅功率器件的市場規(guī)模將暴增至62.97億美金，年均復合增長率約為34%。 車規(guī)級碳化硅功率器件的研發(fā)可追溯到2008年。而豐田汽車早在2014年就推出了應用碳化硅功率器件的普銳斯和凱美瑞混動車，然而真正實現(xiàn)大規(guī)模應用碳化硅MOSFET器件的則是車企新貴—&mdas
- 近30年的SiC外延系統(tǒng)演變[ 04-19 13:44 ]
- 近30年的SiC外延系統(tǒng)演變 Epigress熱壁式SiC外延生長系統(tǒng) •單晶片2”直徑 •手動裝載和卸載外延片 •過程手動控制 •基于硅烷(SiH4)的工藝–不含氯 •增長率限制在10微米/小時左右 Aixtron暖壁系統(tǒng) •多晶片6”直徑(8”) •自動加載和卸載外延片 •配方控制過程 •基于氯硅烷的工藝
- SiC外延生長常見元素[ 04-18 16:40 ]
- SiC外延生長：常見元素 襯底： •用于電力電子的4H多型 •當前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長的外延 •需要對硅表面進行仔細的化學機械拋光(cmp)以減少缺陷 生長參數(shù)： •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]
- SiC相對于Si器件的優(yōu)勢： •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行 •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行
