碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能
去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠(yuǎn)景目標(biāo)綱要”明確提出,我國(guó)將加速推動(dòng)以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程,催生一批高速成長(zhǎng)的新材料企業(yè)。
作為第三代半導(dǎo)體代表材料,碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。
力學(xué)性能:高硬度(克氏硬度為3000kg/mm2),可以切割紅寶石;高耐磨性,僅次于金剛石。
熱學(xué)性能:熱導(dǎo)率超過(guò)金屬銅,是Si的3倍,是GaAs的8~10倍,散熱性能好,對(duì)于大功率器件非常重要。
化學(xué)性能:耐腐蝕性非常強(qiáng),室溫下幾乎可以抵抗任何已知的腐蝕劑。SiC表面易氧化生成SiO2薄層,能防止其進(jìn)一步氧化,在高于1700℃時(shí),這層氧化膜熔化并迅速發(fā)生氧化反應(yīng)。SiC能溶解于熔融的氧化劑物質(zhì)。
電學(xué)性能:4H-SiC和6H-SiC帶隙約是Si的3倍,是GaAs的2倍;其擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高于Si一個(gè)數(shù)量級(jí),飽和電子漂移速度是Si的2.5倍。4H-SiC的帶隙比6H-SiC更寬。
總之,碳化硅半導(dǎo)體是新一代寬禁帶半導(dǎo)體,它具有熱導(dǎo)率高(比硅高3倍)、與GaN晶格失配小(4%)等優(yōu)勢(shì),非常適合用作新一代發(fā)光二極管(LED)襯底材料、大功率電力電子材料。
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類文章排行
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹