AMB陶瓷基板對SiC芯片的配套優(yōu)勢明顯[ 09-24 17:52 ]

據(jù)了解，AMB基板銅層結(jié)合力在16N/mm~29N/mm之間，要大幅高于DBC工藝的15N/mm，更適合精密度高的陶瓷基板電路板，這一特性也使得AMB基板具備高溫高頻特性，導(dǎo)熱率為DBC氧化鋁的3倍以上，且使用過程中能降低SiC約10%的熱阻，能提升電池效率，對SiC上車并改善新能源汽車應(yīng)用有明顯的提升效果。 不過，AMB工藝也還存在一些短板，其技術(shù)實現(xiàn)難度要比DBC、DPC兩種工藝大很多，對技術(shù)要求高，且在良率、材料等方面還有待進一步完善，這使得該技術(shù)目前的實現(xiàn)成本還比較高，“AMB被認為是Si

碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著[ 09-17 15:03 ]

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO

Wolfspeed宣布斥巨資擴產(chǎn)碳化硅晶圓產(chǎn)能[ 09-15 16:27 ]

9月9日，碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)全球領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed宣布將在北卡羅來納州投建200mm（8吋）碳化硅晶圓項目，一期投資13億美元，預(yù)計2024年投產(chǎn)；二期預(yù)計投資48億美元，到2030年投產(chǎn)，投資目標是使Wolfspeed達到目前產(chǎn)能的十倍。 Wolfspeed首席執(zhí)行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能夠在500華氏度以上運行，電壓大約是傳統(tǒng)硅片可以處理的10倍，基于碳化硅的芯片已在電動汽車中找到一席之地，它們用于逆變器——該組件的作用是將電力從汽車電池傳輸?shù)绞管囕嗈D(zhuǎn)動的電機。L

碳化硅器件工藝難點在哪里？[ 09-14 17:19 ]

襯底片完了之后就是長外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蝕，涂膠，沉積，清洗，離子注入等工藝，和硅工藝基本一致，然后就是后道的晶圓切die，封裝測試等，基本流程和硅差不多。 其中長外延，光刻膠，背面退火，刻蝕，以及氧化柵極工藝區(qū)別，歐姆接觸和硅工藝區(qū)別非常大。 硅的外延工藝就是普通的硅外延爐之類價格也很便宜國產(chǎn)的大約400-500萬一臺（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且價格非常貴，基本要800-1500萬人民幣一臺，而且產(chǎn)能很低，一臺爐子一個月產(chǎn)能是30片。 外延爐主要是國外

為什么碳化硅晶圓成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的長晶技術(shù)大致有三種，PVT物理氣相傳輸法，HT-CVD高溫氣相沉積法，以及LPE溶液法。 其中PVT比較主流，優(yōu)點是簡單，可靠，成本可控。CVD對設(shè)備要求太高，價格很貴，只有高質(zhì)量的半絕緣襯底會用這個方法；LPE溶液法能做天然P型襯底，但是缺陷很難控制，還需要時間積累，日本公司不少專注于這個路線。 以PVT法為例，這種方案下碳化硅生長速度只有硅材料生長速度的1/100都不到，144小時只有2cm左右的厚度，實在是太慢了，要想獲得更多的產(chǎn)量，只能靠長晶爐數(shù)量堆。 目前國外日新技研和PVATe