碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來可期[ 05-23 17:12 ]

集微網(wǎng)消息，當(dāng)前，汽車動(dòng)力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動(dòng)力來源從內(nèi)燃機(jī)演變?yōu)殡妱?dòng)機(jī)，功率半導(dǎo)體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V。跨入新能源汽車，為了滿足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導(dǎo)體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用場景包括：主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機(jī)控制器應(yīng)用是大勢所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應(yīng)用于特斯拉，并用較低的價(jià)格搶占市場份額，以達(dá)到規(guī)模經(jīng)濟(jì)。在過去的幾年時(shí)間里，全球碳化硅市場上相關(guān)企業(yè)動(dòng)作

SiC模塊可提升電動(dòng)汽車功率及續(xù)航能力[ 05-21 11:48 ]

碳化硅加速性能好。寬禁帶最直接的好處，有更高的擊穿場強(qiáng)，也就是耐高壓，即是可以控制更高的系統(tǒng)電壓。高電壓意味著低電流，能減少設(shè)備電阻的損耗。 對電機(jī)設(shè)計(jì)來說，也更容易在小體積下實(shí)現(xiàn)更高功率。 碳化硅可實(shí)現(xiàn)大功率及高續(xù)航。除了寬禁帶帶來的優(yōu)勢外，碳化硅還有兩大優(yōu)勢，一個(gè)是飽和電子速度更高，一個(gè)是導(dǎo)熱率更高、耐溫性能更高。 飽和電子速度快，也就是可以通過更大的電流。碳化硅材料的電子飽和速度是硅材料的兩倍，因此在設(shè)備設(shè)計(jì)時(shí)，匹配的電流強(qiáng)度更容易遠(yuǎn)離設(shè)備的飽和電流，也就能實(shí)現(xiàn)在導(dǎo)通狀態(tài)下更低的電阻。

「一圖GET」一圖搞懂碳化硅——襯底篇[ 05-19 14:24 ]

 

蔚來下一代電動(dòng)車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 05-18 15:07 ]

近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進(jìn)一步提升車輛的經(jīng)濟(jì)性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認(rèn)為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動(dòng)汽車。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動(dòng)車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動(dòng)車的續(xù)航里程更遠(yuǎn)、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進(jìn)程，為市場帶來配備先進(jìn)半導(dǎo)體材料的電動(dòng)車。 據(jù)悉，

Soitec發(fā)布8英寸SiC襯底，拓展碳化硅產(chǎn)品組合[ 05-12 15:30 ]

據(jù)中國粉體網(wǎng)訊 Soitec近日發(fā)布了其首款200mm碳化硅SmartSiC™晶圓。這標(biāo)志著Soitec公司的碳化硅產(chǎn)品組合已拓展至150mm以上，其SmartSiC™晶圓的研發(fā)水準(zhǔn)再創(chuàng)新高，可滿足汽車市場不斷增長的需求。 首批200mmSmartSiC™襯底誕生于Soitec與CEA-Leti合作的襯底創(chuàng)新中心的先進(jìn)試驗(yàn)線，該中心位于格勒諾布爾。該批200mmSmartSiC襯底將會(huì)在關(guān)鍵客戶中進(jìn)行首輪驗(yàn)證，展示其質(zhì)量及性能。 Soitec于2022年3月