理想汽車重磅布局碳化硅（SiC）芯片[ 08-09 17:24 ]

理想汽車創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO李想曾表示，碳化硅電驅(qū)系統(tǒng)是理想汽車高壓純電平臺(tái)的四個(gè)核心技術(shù)之一。 日前，理想汽車重磅布局碳化硅（SiC）芯片，功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地日前落戶蘇州。 此次落戶的理想汽車功率半導(dǎo)體研發(fā)及生產(chǎn)基地由理想汽車與國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體龍頭企業(yè)三安光電共同出資組建蘇州斯科半導(dǎo)體有限公司，主要專注于第三代半導(dǎo)體碳化硅車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)。 早在1月25日，北京車和家和三安光電宣布共同設(shè)立經(jīng)營(yíng)一家合資公司，將主要從事新能源汽車SiC芯片和模塊的研發(fā)，這家合資公司可能就是2022年3月成

小鵬G9：國(guó)內(nèi)基于首款碳化硅800V平臺(tái)的量產(chǎn)車型[ 08-02 10:04 ]

眾多新能源車企都在快速推進(jìn)800V車型落地。而小鵬是國(guó)內(nèi)第一家采用800V碳化硅平臺(tái)的車企，算是國(guó)內(nèi)“第一個(gè)吃螃蟹的人”。 2021年11月19日，廣州國(guó)際車展正式開(kāi)幕，小鵬汽車對(duì)外正式發(fā)布SUV新車型小鵬G9，這是國(guó)內(nèi)第二款采用碳化硅的量產(chǎn)車型，也是國(guó)內(nèi)基于首款碳化硅800V平臺(tái)的量產(chǎn)車型。 為充分發(fā)揮800V平臺(tái)的超充技術(shù)優(yōu)勢(shì)，小鵬汽車還將鋪設(shè)中國(guó)首批量產(chǎn)的480kW高壓超充樁，以實(shí)現(xiàn)充電5分鐘最高可補(bǔ)充200公里續(xù)航。 據(jù)相關(guān)媒體透露，小鵬汽車的SiC供應(yīng)商可能是英飛

芯聚能碳化硅主驅(qū)模塊成功登陸smart精靈#1量產(chǎn)車[ 07-23 15:33 ]

Smart精靈#1是由奔馳和吉利共同設(shè)計(jì)研發(fā)的純電動(dòng)小SUV，設(shè)計(jì)來(lái)自奔馳，而技術(shù)源于吉利，基于吉利SEA浩瀚架構(gòu)打造。芯聚能碳化硅主驅(qū)模塊成功登陸smart精靈#1量產(chǎn)車，成為國(guó)內(nèi)第一批由第三方提供的，進(jìn)入量產(chǎn)乘用車的碳化硅主驅(qū)模塊。芯聚能的碳化硅模塊和使用芯聚能碳化硅模塊的控制器均已進(jìn)入量產(chǎn)狀態(tài)（SOP）。 2021年5月17日，吉利與芯聚能半導(dǎo)體、芯合科技等，合資成立了廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司布局車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體，與芯聚能產(chǎn)業(yè)鏈上下形成聯(lián)動(dòng)。 2021年8月，吉利汽車宣布采用羅姆SiC器件。吉利將

三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術(shù)研究進(jìn)展[ 07-16 16:48 ]

綜述了三氧化二鋁-碳化硅-碳澆注料防氧化技術(shù)的防氧化效果以及對(duì)材料性能、組成和結(jié)構(gòu)的影響，根據(jù)含碳耐火材料的氧化損毀機(jī)理，主要分析了防氧化劑的兩種作用形式即優(yōu)先碳源氧化法和優(yōu)化碳源法。防氧化劑法除了優(yōu)先碳源氧化生成金屬氧化物和碳化物阻止含碳材料的氧化外，還可以通過(guò)固相反應(yīng)生成液相等物質(zhì)堵塞材料內(nèi)部氣孔提升材料的致密度阻止氧氣的進(jìn)入來(lái)提高防氧化效果，優(yōu)化碳源法則通過(guò)復(fù)合碳源以及在碳源的表面添加涂層達(dá)到一定的防氧化效果。詳細(xì)闡述了3種方法的工藝特點(diǎn)以及目前存在的問(wèn)題，并對(duì)其發(fā)展方向進(jìn)行了展望，為開(kāi)發(fā)新型三氧化二鋁-碳化

新能源車用半導(dǎo)體價(jià)值量提升 碳化硅倍受期待[ 07-13 09:12 ]

一直以來(lái)，硅是制造半導(dǎo)體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導(dǎo)體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲(chǔ)備量大，成本比較低，并且制備比較簡(jiǎn)單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應(yīng)用場(chǎng)景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿足新能源車及高鐵等新興應(yīng)用對(duì)器件高功率及高頻性能的需求。 在這個(gè)背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導(dǎo)體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學(xué)特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度