SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)
SiC相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢(shì)：
•SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來(lái)阻擋給定的電壓
•較薄的漂移層降低了整體器件電阻
•更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行
•SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行
相關(guān)資訊
最新產(chǎn)品
同類(lèi)文章排行
- 白剛玉段砂用于精密鑄造品質(zhì)得以體現(xiàn)
- 綠碳化硅微粉的特點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅功率器件離正式量產(chǎn)還有一段距離
- 國(guó)內(nèi)碳化硅外延的難點(diǎn)
- 國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的難點(diǎn)
- 碳化硅功率器件的性能優(yōu)勢(shì)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹
最新資訊文章
您的瀏覽歷史
