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[行業(yè)資訊]最新碳化硅價格行情[ 2024-07-11 11:30 ]
在科技的日新月異中，碳化硅（SiC）作為新一代半導體材料的代表，正以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景，引領(lǐng)著電子產(chǎn)業(yè)的綠色革命。隨著全球?qū)沙掷m(xù)發(fā)展和節(jié)能減排的日益重視，碳化硅材料因其高效率、耐高溫、抗高壓等特性，在電力電子、新能源汽車、5G通訊等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的市場潛力。 近期，碳化硅的價格走勢成為業(yè)界關(guān)注的焦點。據(jù)行業(yè)分析，2024年第二季度，受全球芯片需求增長和供應(yīng)鏈調(diào)整的影響，碳化硅材料及其器件的價格呈現(xiàn)出穩(wěn)中有升的趨勢。一方面，新能源汽車行業(yè)的迅猛發(fā)展，對高性能、低能耗的功率半導體提出了更高要求，碳化硅二極
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底領(lǐng)域國產(chǎn)替代成效顯著[ 2022-09-17 15:03 ]
碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術(shù)發(fā)展也至關(guān)重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術(shù)水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在2-6英寸的半絕緣型和導電型碳化硅襯底領(lǐng)域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替代，8英寸晶圓也在研制過程中，國產(chǎn)替代進程講持續(xù)突破。 碳化硅市場產(chǎn)業(yè)鏈主要分為晶圓襯底制造、外延片生產(chǎn)、碳化硅器件研發(fā)和裝備封裝測試四個部分，分別占市場總成本的50%、25%、20%、5%，由于具備晶體生長過程繁瑣，晶圓切割困難等特點，碳化硅襯底的制造成本一直處于高位。目前高質(zhì)量襯底的應(yīng)用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO
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[行業(yè)資訊]寬禁帶半導體材料的優(yōu)點[ 2022-09-09 17:05 ]
碳化硅，氮化鎵有個很拉風的名字叫寬禁帶半導體材料，國內(nèi)也叫第三代半導體。它特指禁帶寬度超過2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化鎵（3.34eV）；超過4.0eV叫超寬禁帶半導體材料，國內(nèi)叫第四代半導體材料，包括氮化鋁（AlN），金剛石（C），氧化鎵（Ga2O3）和氧化鋅（ZnO），就是上上周美國搞制裁的那個，有意思的是美國只禁了氧化鎵和金剛石，不提氮化鋁和氧化鋅，嘿嘿！說明他們這塊不行，氮化鋁可能還是日本和中國搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實際上是反映了價電子被束縛強弱程度的一個物理量，也就是產(chǎn)
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[行業(yè)資訊]晶盛機電成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體[ 2022-08-26 17:05 ]
8月12日消息，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術(shù)攻關(guān)，晶盛首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，標志著晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，同時這也是晶盛在寬禁帶半導體領(lǐng)域取得的又一標志性成果。 據(jù)了解，此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。 在技術(shù)上，晶盛成功解決了8英寸晶體生長過程中多個難點問題，比如溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等等。 此外，還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛
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[行業(yè)資訊]天岳先進6英寸導電型碳化硅襯底獲14億訂單[ 2022-08-12 14:25 ]
粉體圈消息：近期，天岳先進發(fā)布公告，公司簽署了時長三年(2023-2025)的6英寸導電型碳化硅襯底產(chǎn)品銷售合同，據(jù)測算，預(yù)計含稅銷售三年合計金額為人民幣13.93億元。但對于簽約客戶名稱和具體情況，天岳先進本次并未披露。 去年12月30日，天岳先進首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市，據(jù)招股說明書，擬募集資金20億元主要用于碳化硅半導體材料項目，該項目主要用于生產(chǎn)6英寸導電型碳化硅襯底材料，計劃于2026年達產(chǎn)，達產(chǎn)后將新增碳化硅襯底材料產(chǎn)能約30萬片/年。 今年6月，天岳先進在投資者互動平臺表示，他們已成
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[常見問題解答]碳化硅器件被譽為帶動“新能源革命”的“綠色能源器件”[ 2022-07-19 16:23 ]
2018年，特斯拉在Model3電驅(qū)主逆變器上，率先采用了意法半導體供應(yīng)的650VSiCMOSFET器件，碳化硅器件開始逐漸成為市場發(fā)展的熱點。碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)之一。其中碳化硅功率模塊是新能源汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，具備耐高壓、耐高溫、高開關(guān)頻率、低開關(guān)損耗等特點，對整車的主要技術(shù)指標和整體性能有著重要影響。 碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽為帶動“新
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[行業(yè)資訊]新能源車用半導體價值量提升 碳化硅倍受期待[ 2022-07-13 09:12 ]
一直以來，硅是制造半導體芯片最常用的材料，目前90%以上的半導體產(chǎn)品是以硅為襯底制成的。究其原因，是硅的儲備量大，成本比較低，并且制備比較簡單。然而，硅在光電子領(lǐng)域和高頻高功率器件方面的應(yīng)用卻受阻，且硅在高頻下的工作性能較差，不適用于高壓應(yīng)用場景。這些限制讓硅基功率器件已經(jīng)漸漸難以滿足新能源車及高鐵等新興應(yīng)用對器件高功率及高頻性能的需求。 在這個背景下，碳化硅走到了聚光燈下。相比于第一代和第二代半導體材料，SiC具有一系列優(yōu)良的物理化學特性，除了禁帶寬度，還具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度
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[行業(yè)資訊]中電化合物攜手浙大，聚焦碳化硅和氮化鎵[ 2022-06-23 16:09 ]
近日，中電化合物半導體有限公司和浙江大學材料科學與工程學院成立聯(lián)合培養(yǎng)實踐基地。 旨在加強產(chǎn)學研合作，聚焦碳化硅和氮化鎵材料，培養(yǎng)兼具豐富理論知識和實踐能力的高層次材料工程人才。 中電化合物以此為契機，加大人才引進力度，以創(chuàng)新為抓手，持續(xù)研發(fā)投入，打造公司的核心競爭力。 中電化合物公司是由中國電子下屬的華大半導體投資的一家做碳化硅SiC晶體、襯底、外延片和GaN外延片產(chǎn)品的專業(yè)化寬禁帶半導體材料制造企業(yè)。 2019年，中電化合物半導體項目落戶在寧波杭州灣新區(qū)，是浙江省首個第三代半導體項目，總
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[行業(yè)資訊]比亞迪等新能源車企扎堆布局碳化硅 產(chǎn)業(yè)迎來爆發(fā)式增長[ 2022-06-21 11:30 ]
近期，新能源車企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相關(guān)領(lǐng)域投資迎來密集落地。日前，新能源汽車龍頭比亞迪入股天域半導體，華為關(guān)聯(lián)公司深圳哈勃科技投資也于去年入股該公司。 資料顯示，天域半導體是國內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認證（IATF16949）的碳化硅半導體材料供應(yīng)鏈企業(yè)，目前正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù)。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半導體宣布完成C2輪融資，由廣汽資本等機構(gòu)聯(lián)合投資。5月下旬，由理想汽車及三安光電共同出資組建的碳化硅車規(guī)芯片模組公司蘇州斯科半導體落戶蘇州。 作為第三代半導體材料的
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[行業(yè)資訊]德智新材投資2.5億半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成主體工程建設(shè)[ 2022-06-17 17:19 ]
近日，在新馬工業(yè)園內(nèi)，湖南德智新材料有限公司半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目完成了主體工程建設(shè)，并預(yù)計在明年初投產(chǎn)，一項“卡脖子”的高精尖技術(shù)，即將在株洲順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。 SiC刻蝕環(huán)是半導體材料在等離子刻蝕環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵耗材，在半導體芯片產(chǎn)業(yè)鏈上是一種不可或缺的重要材料。SiC刻蝕環(huán)對純度要求極高，因此只能采用CVD工藝進行生長SiC厚層塊體，隨后經(jīng)精密加工而制得，主要用于半導體刻蝕工藝的制備環(huán)節(jié)。長期以來，圍繞半導體及其配套材料的發(fā)展一直是我國生產(chǎn)制造中的薄弱環(huán)節(jié)，但因其技術(shù)壁壘高，長期被美
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[常見問題解答]第三代半導體——碳化硅究竟用在哪？[ 2022-06-06 16:37 ]
SiC是目前相對成熟、應(yīng)用最廣的寬禁帶半導體材料，基于SiC的功率器件相較Si基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、導通損耗與開關(guān)損耗更低、開關(guān)頻率更高、可減小模塊體積等杰出特性，不僅可廣泛用于電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)、列車牽引設(shè)備、充電樁、開關(guān)電源、光伏逆變器、伺服電機、高壓直流輸電設(shè)備等民用場景，還可顯著提升戰(zhàn)斗機、戰(zhàn)艦等軍用系統(tǒng)裝備的性能。 1.新能源汽車 車載充電機（OBC）：車載充電機是指固定在汽車上，可將地面的交流充電樁輸入的交流電轉(zhuǎn)換為直流電，直接給動力電池充電，充電過程中宜由車載充電機提
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[行業(yè)資訊]碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)未來可期[ 2022-05-23 17:12 ]
集微網(wǎng)消息，當前，汽車動力系統(tǒng)在發(fā)生三大變化，動力來源從內(nèi)燃機演變?yōu)殡妱訖C，功率半導體材料從硅轉(zhuǎn)向碳化硅，電壓平臺從400V升級到800V?？缛胄履茉雌?，為了滿足大電流、高電壓的需求，搭載的功率半導體也大幅提升，具體而言，碳化硅功率器件在新能源汽車中的應(yīng)用場景包括：主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電器）、快速充電樁，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主電機控制器應(yīng)用是大勢所趨。 ST最早量產(chǎn)并大量應(yīng)用于特斯拉，并用較低的價格搶占市場份額，以達到規(guī)模經(jīng)濟。在過去的幾年時間里，全球碳化硅市場上相關(guān)企業(yè)動作
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[行業(yè)資訊]蔚來下一代電動車將選用安森美最新SiC功率模塊[ 2022-05-18 15:07 ]
近年來，新能源汽車遭遇的技術(shù)瓶頸主要是如何進一步提升車輛的經(jīng)濟性。為此，全球汽車行業(yè)已向碳化硅（SiC）制成的芯片行業(yè)投資數(shù)十億美元，皆因業(yè)界認為這類技術(shù)可以幫助他們制造高性能電動汽車。 近期，安森美（onsemi）宣布全球汽車創(chuàng)新企業(yè)蔚來（NIOInc.）為其下一代電動車（EV）選用安森美的最新VE-TracTMDirectSiC功率模塊。這種以碳化硅為基礎(chǔ)的功率模塊能使電動車的續(xù)航里程更遠、能效更高，加速度也更快。兩家公司合作加快SiC技術(shù)商業(yè)化的進程，為市場帶來配備先進半導體材料的電動車。 據(jù)悉，
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[行業(yè)資訊]SiC單晶技術(shù)研發(fā)歷史[ 2022-05-06 16:22 ]
Si和SiC作為半導體材料幾乎同時被提出，但由于SiC生長技術(shù)的復(fù)雜和缺陷、多型現(xiàn)象的存在，其發(fā)展曾一度被擱淺。SiC的發(fā)展歷經(jīng)了多個重要階段。第一個階段是結(jié)構(gòu)基本性質(zhì)和生長技術(shù)的探索階段，時間跨度從1924年發(fā)現(xiàn)SiC結(jié)構(gòu)至1955年Lely法的提出。第二階段是物理基本性質(zhì)研究和英寸級別單晶生長的技術(shù)積累階段。在此階段物理氣相傳輸(PVT)生長方法基本確定、摻雜半絕緣技術(shù)被提出，至1994年Wolfspeed推出了商用的2英寸(50.8mm)SiC襯底材料。從1994年以后，隨著國際上半導體照明及2英寸SiC單晶
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[行業(yè)資訊]華為猛投SiC賽道有何戰(zhàn)略意圖？[ 2022-03-21 16:13 ]
去年9月底，華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書，白皮書中指出，“電力電子技術(shù)和數(shù)字技術(shù)成為驅(qū)動能源產(chǎn)業(yè)變革的核心技術(shù)”。更高電壓、更高效率、更高功率密度代表了電力電子器件技術(shù)的發(fā)展方向。在2020年之前的50年中，硅基電力電子器件技術(shù)日益成熟，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大，在能源領(lǐng)域發(fā)揮了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基電力電子器件性能正在接近其理論極限，難以繼續(xù)支撐技術(shù)和產(chǎn)業(yè)快速前進的要求。進入新世紀以來，尤其是從2010年至今，諸多新興的半導體材料憑借優(yōu)越的材料特性為電力電子器件技術(shù)帶來了
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[行業(yè)資訊]晶盛機電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開工[ 2022-03-04 09:30 ]
近日，由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設(shè)的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶寧夏銀川。其中，一期預(yù)計3月開工建設(shè)，投資總額33.6億元，一期建成達產(chǎn)后預(yù)計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開展業(yè)務(wù)，具備全球最大的700Kg藍寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設(shè)備生產(chǎn)制造項目的公告披露，晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線，6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗
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[金蒙新材料百科]碳化硅技術(shù)在家電行業(yè)的應(yīng)用[ 2022-02-26 13:37 ]
回溯半導體技術(shù)的發(fā)展歷程，大致分為3個時代。第一代半導體材料主要是硅和鍺，上世紀60年代之后，硅基半導體逐漸成為主流，直到現(xiàn)在依然是應(yīng)用最為廣泛的半導體材料，全球95%以上的芯片是以硅片為基礎(chǔ)材料制成的。第二代半導體材料的代表是砷化鎵，可以制造更高頻、高速的集成電路，但是以目前的需求來看，砷化鎵材料的禁帶寬度依然較小。第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的材料，可以制備耐高壓、高頻的功率器件。這些材料中，碳化硅是綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導體材料，目前已經(jīng)在5G通信、PD快充、新能源汽車
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[行業(yè)資訊]河南：積極布局5G、半導體材料產(chǎn)業(yè)，重點發(fā)展碳化硅、氮化鎵等第三代半導體材料[ 2022-02-18 08:40 ]
在5G方面，要培育引進一批5G智能終端、通信模組、天饋線、5G小型化基站設(shè)備、5G高頻元器件等制造企業(yè)和項目，加快形成5G關(guān)鍵器件及材料生產(chǎn)能力。建設(shè)5G產(chǎn)品監(jiān)測、認證、入網(wǎng)檢測等公共服務(wù)平臺，搭建5G創(chuàng)新中心，提高產(chǎn)業(yè)發(fā)展綜合服務(wù)水平。實施5G融合應(yīng)用工程，重點推動5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、智慧城市、智慧農(nóng)業(yè)、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域融合應(yīng)用，打造一批5G標桿應(yīng)用場景。 在半導體方面，積極布局半導體材料產(chǎn)業(yè)，發(fā)展以碳化硅、氮化鎵為重點的第三代半導體材料，提升大尺寸單晶硅拋光片、電子級高純硅材料、區(qū)熔硅單晶研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
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[行業(yè)資訊]碳化硅單晶襯底是半導體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上極為關(guān)鍵一環(huán)[ 2022-02-17 10:08 ]
碳化硅器件性能非常突出，但其生產(chǎn)過程可謂是困難重重。其產(chǎn)業(yè)鏈貫穿了材料、芯片設(shè)計、制造工藝等各個環(huán)節(jié)。相對傳統(tǒng)硅基技術(shù)而言，寬禁帶功率器件由于采用了SiC半導體材料，在各關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)也會遇到新的問題與挑戰(zhàn)。 SiC半導體功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 從技術(shù)的角度來說，與硅基功率器件制作工藝不同，碳化硅器件不能直接制作在碳化硅單晶材料上，需要在導通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，最后在外延層上制造各類器件。傳統(tǒng)的碳化硅外延基于高品質(zhì)碳化硅單晶襯底，以實現(xiàn)晶格匹配和降低缺陷密度（微管、位錯、層錯等）。 即是說
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[行業(yè)資訊]住友礦山將量產(chǎn)碳化硅功率半導體晶圓[ 2022-01-11 14:19 ]
如今，以碳化硅為代表的第三代半導體材料功率器件在各項性能指標上較現(xiàn)有硅基功率器件有飛躍性的提升。當純電動汽車的逆變器采用碳化硅功率半導體時，可以降低電力損耗，因此耗電量可以比硅功率半導體大幅降低。 據(jù)外媒消息，住友金屬礦山（簡稱住友礦山）開始量產(chǎn)新一代功率半導體使用的晶圓，材料采用的是碳化硅，新一代功率半導體面向純電動汽車（EV）等的需求有望擴大。住友礦山要搶占Wolfspeed等領(lǐng)先企業(yè)的市場，預(yù)計2025年實現(xiàn)月產(chǎn)1萬片。 為了進一步降低碳化硅晶圓的成本，住友礦山開發(fā)出了相關(guān)技術(shù)，在因結(jié)晶不規(guī)則而價
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