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    第三代半導體材料發(fā)展新方向[ 11-29 15:02 ]
    眾所周知,采用第三代半導體材料的目的是為了提高產品效率和功率密度。大功率產品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展,目前在車載應用方面已經開始全面替換,其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動車的續(xù)航能力。而中小功率產品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展,主要應用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。 數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右,采用第三代半導體材料GaN設計的電源能夠使效率提高3到5個點,從而節(jié)省全國千分之三到千分之五的電力消耗。這對于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面,采用氮化鎵可
    GaN和SiC材料的技術難點和特點[ 11-29 14:59 ]
    目前,第三代半導體材料GaN和SiC已經得到了市場認可和高度關注。在功率半導體的范疇,業(yè)內人士認為,除了LED發(fā)光和射頻,第三代半導體材料SiC的技術難點主要在于襯底缺陷的控制。當前低缺陷密度的襯底材料主要是歐美及日本廠商生產,國內想要突破還需要相當長的一段時間。 同時第三代半導體材料SiC工藝控制難度高、產品批次性波動大導致良率偏低以及主要材料供應被壟斷,甚至推導到市場價格一直居高不下,目前只限定在部分應用市場。但相比SiC更低損耗、更高效率以及高電壓耐高溫等一系列自身特點而言,第三代半導體材料SiC的應用已經
    初識陶瓷耐磨材料--碳化硅[ 11-29 14:54 ]
    目前常用的耐磨材料主要有金屬耐磨材料、高分子耐磨材料、陶瓷耐磨材料等。金屬耐磨材料具有較高的強度、較高的硬度、較高的韌性和較高的耐磨損性等一系列優(yōu)異的特性,經歷了高錳鋼、普通白口鑄鐵、鎳硬鑄鐵到高鉻鑄鐵的幾個階段。到目前為止,性能最優(yōu)異的有耐磨鋼、耐磨鑄鐵兩大類。其中耐磨鋼除了傳統(tǒng)的奧氏體錳鋼及改性高錳鋼、中錳鋼以外,根據(jù)碳含量的不同又通常分為中碳、中高碳、高碳合金耐磨鋼;根據(jù)合金元素含量的不同又分為低合金、中合金及高合金耐磨鋼;根據(jù)組織結構的不同又分為奧氏體、貝氏體、馬氏體耐磨鋼。耐磨鑄鐵中的普通白口鑄鐵、低碳白
    碳化硅耐磨材料的結構與性能[ 11-29 14:52 ]
    自從美國人阿奇遜在1891年偶然發(fā)現(xiàn)SiC材料以來,SiC已成為人們廣泛利用的非氧化物陶瓷材料。SiC是以共價鍵為主的共價化合物,由于硅與碳兩元素在形成SiC晶體時,SiC原子中S→P電子的遷移導致能量穩(wěn)定的sp3雜化排列,從而形成具有金剛石結構的SiC。因此它的基本單位為四面體。所有SiC均由SiC四面體堆積而成,所不同的是平行結合還是反平行結合。SiC大概有100種變體,如а-SiC、β-SiC、4H-SiC、15R-SiC和6H-SiC等,所有這些變形體結構又可分為立方晶系、六方晶系、和菱
    碳化硅耐磨材料的應用[ 11-29 14:47 ]
    碳化硅耐磨材料的應用 由于碳化硅陶瓷所具有的耐高溫(2200K以上)、高彈性模量、抗渣能力強、耐沖刷性能、高熱導、低熱膨脹、耐磨損、優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、抗氧化性較強并具有較高的高溫強度,使得碳化硅陶瓷得到了廣泛的應用,主要應用于以下幾個方面:1.  用作耐磨零部件  譬如生產中常用的密封環(huán),這是由于碳化硅材料具有的強度高、硬度大、摩擦系數(shù)小、耐酸堿、耐高溫等一些列特性。特別適合應用于工況條件比較差的密封環(huán)和其它耐磨零部件。當碳化硅與活性炭進行配合時,摩擦系數(shù)小,特別適用于運送強酸堿的管道和
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