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聯(lián)系金蒙新材料
- 為什么碳化硅能承受這么高的電壓？[ 12-20 14:35 ]
- 功率器件，尤其是MOSFET，必須能夠處理極高的電壓。由于電場的介電擊穿強度比硅高約十倍，SiC可以達到非常高的擊穿電壓，從600V到幾千伏。SiC可以使用比硅更高的摻雜濃度，并且漂移層可以做得非常薄。漂移層越薄，其電阻越低。理論上，給定高電壓，單位面積漂移層的電阻可以降低到硅的1/300。
- 為什么SiC在功率應(yīng)用中戰(zhàn)勝了Si？[ 12-20 14:32 ]
- 碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強，使半導(dǎo)體具有很高的機械、化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬帶隙和高熱穩(wěn)定性允許SiC器件在高于硅的結(jié)溫下使用，甚至超過200°C。碳化硅在功率應(yīng)用中的主要優(yōu)勢是其低漂移區(qū)電阻，這是高壓功率器件的關(guān)鍵因素。 盡管是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但硅開始顯示出一些局限性，尤其是在高功率應(yīng)用中。這些應(yīng)用中的一個相關(guān)因素是半導(dǎo)體提供的帶隙或能隙。當帶隙很高時，它使用的電子設(shè)備可以更小、運行得更快、更可靠。它還可
- 碳化硅在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？[ 12-20 14:28 ]
- 碳化硅是一種非常適合電力應(yīng)用的半導(dǎo)體，這主要歸功于它能夠承受高電壓，比硅可使用的電壓高十倍。 基于碳化硅的半導(dǎo)體具有更高的熱導(dǎo)率、更高的電子遷移率和更低的功率損耗。 碳化硅二極管和晶體管還可以在更高的頻率和溫度下工作，而不會影響可靠性。 SiC器件的主要應(yīng)用，例如肖特基二極管和FET/MOSFET晶體管，包括轉(zhuǎn)換器、逆變器、電源、電池充電器和電機控制系統(tǒng)。
- 博世開啟碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計劃[ 12-18 14:59 ]
- 12月3日，博世中國官方發(fā)布消息稱，經(jīng)過多年的研發(fā)，博世目前準備開始大規(guī)模量產(chǎn)由碳化硅這一創(chuàng)新材料制成的功率半導(dǎo)體，以提供給全球各大汽車生產(chǎn)商。未來，越來越多的量產(chǎn)車將搭載博世生產(chǎn)的碳化硅芯片。“碳化硅半導(dǎo)體擁有廣闊的發(fā)展前景，博世希望成為全球領(lǐng)先的電動出行碳化硅芯片生產(chǎn)供應(yīng)商。"博世集團董事會成員HaraldKroeger表示。 博世于兩年前宣布將繼續(xù)推進碳化硅芯片研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。為實現(xiàn)這一目標，博世自主開發(fā)了極為復(fù)雜的制造工藝流程，并于2021年初開始生產(chǎn)用于客戶驗證的樣品。&ldq
- 3D打印碳化硅陶瓷成功用于紅外焊接[ 12-18 14:56 ]
- 近日，賽瑯泰克（CeramTec）宣布其3D打印先進陶瓷已成功投入使用，比如其反應(yīng)燒結(jié)（滲硅）碳化硅陶瓷（SiSiC）成功用于塑料焊接設(shè)備的輻射源。 德國塑料焊接設(shè)備商PolyMergeGmbH開發(fā)塑料紅外焊接系統(tǒng)，該系統(tǒng)是采用非接觸式的加熱方法對塑料工件中止加熱，兩個待焊接的零件表面在紅外線的映照下可疾速凝聚，經(jīng)壓合冷卻后即粘接在一同，并可獲得極高的焊接強度。碳化硅陶瓷兼具高導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性以及高性能陶瓷的高硬度和耐化學(xué)腐蝕，因此被用作紅外焊接輻射源材料。 但是，紅外焊接系統(tǒng)的核心輻射源必須針對特定產(chǎn)品
