眾所周知，采用第三代半導(dǎo)體材料的目的是為了提高產(chǎn)品效率和功率密度。大功率產(chǎn)品主要是Si IGBT向SiC MOSFET發(fā)展，目前在車(chē)載應(yīng)用方面已經(jīng)開(kāi)始全面替換，其效率的提升以及重量的減輕直接提高了電動(dòng)車(chē)的續(xù)航能力。而中小功率產(chǎn)品是Si MOSFET向GaN HEMT發(fā)展，主要應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心電源及充電適配器。

數(shù)據(jù)中心消耗的能源大概占總發(fā)電量的10%左右，采用第三代半導(dǎo)體材料GaN設(shè)計(jì)的電源能夠使效率提高3到5個(gè)點(diǎn)，從而節(jié)省全國(guó)千分之三到千分之五的電力消耗。這對(duì)于碳中和有非常重要的意義。充電適配器方面，采用氮化鎵可以減少一半的體積，目前基本成為消費(fèi)者的剛需。特別是隨著PD3.1的推出，未來(lái)只需要帶上一臺(tái)PD適配器，就可以給任何便攜式電器充電。這將是一個(gè)十億量級(jí)的市場(chǎng)。

業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，隨著國(guó)家“碳中和”戰(zhàn)略性基調(diào)以及對(duì)第三代半導(dǎo)體的持續(xù)支持，未來(lái)全球第三代半導(dǎo)體材料SiC消費(fèi)市場(chǎng)中國(guó)必定一馬當(dāng)先。同時(shí)隨著國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體材料SiC制程開(kāi)始逐漸成熟，并且已經(jīng)穩(wěn)定生產(chǎn)，相信不遠(yuǎn)可從根本上解決第三代半導(dǎo)體材料問(wèn)題。

國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)不可阻擋，第三代半導(dǎo)體是國(guó)家彎道超車(chē)的主要產(chǎn)品，隨著工藝的進(jìn)步，將有非常廣闊的市場(chǎng)空間。“第三代半導(dǎo)體材料不僅僅在于SiC和GaN，砷化鎵(GaAs)等化合物也是未來(lái)的重要力量，在當(dāng)前的5G PA、電力線寬帶載波等領(lǐng)域都將有廣闊的應(yīng)用。”業(yè)內(nèi)人士表示。

受?chē)?guó)家政策和半導(dǎo)體行業(yè)的支持推動(dòng)，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料，已經(jīng)成為半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的重要關(guān)注對(duì)象。特別是在PD快充與新能源汽車(chē)領(lǐng)域，第三代半導(dǎo)體材料GaN和SiC的使用極大地推動(dòng)了產(chǎn)品革新與迭代。