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- 阻礙SiC陶瓷燒結的因素[ 12-30 14:34 ]
- SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體,在SiC晶格中,Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol,共價鍵與離子鍵比值約為4:1,這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個方面: ①熱力學方面 SiC的晶界能較高,粉體顆粒表面能相對較低,SiC陶瓷燒結推動力低,燒結難度增大。目前可通過引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來促進燒結。 ②動力學方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質遷移所需能量高,物質難以擴散,而蒸發(fā)—凝聚傳質至少需要蒸
- 中科鋼研高純碳化硅項目及高端裝備項目開工[ 12-21 10:07 ]
- 12月18日,中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開工儀式在山東菏澤舉行。 據悉,集中開工的兩個項目采用國際一流標準,建設智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個“總部+生產+研發(fā)”三合一項目,投資額均超過10億元。早前披露信息顯示,2018年開工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導體項目預計年內投產,全部達產可實現年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項目無疑是該項目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進的4/8英寸升華法碳
- SiC反向恢復時間與Si MOSFET相比如何?[ 12-20 14:43 ]
- SiCMOSFET與其硅對應物一樣,具有內部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復行為,當二極管關斷同時承載正正向電流時會發(fā)生這種情況。因此,反向恢復時間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較。可以看出,SiCMOSFET的體二極管非常快:trr和Irr的值小到可以忽略不計,能量損失Err大大降低。
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- 另一個重要參數是熱導率,它是半導體如何散發(fā)其產生的熱量的指標。如果半導體不能有效散熱,則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個領域:碳化硅的導熱率為1490W/mK,而硅的導熱率為150W/mK。
- 為什么SiC在高頻下的表現優(yōu)于IGBT?[ 12-20 14:39 ]
- 在大功率應用中,過去主要使用IGBT和雙極晶體管,目的是降低高擊穿電壓下出現的導通電阻。然而,這些設備提供了顯著的開關損耗,導致發(fā)熱問題限制了它們在高頻下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件,實現高電壓、低導通電阻和快速運行。