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- SiC的構成單元為Si與C原子比為1:1的正四面體，在SiC晶格中，Si與C之間的平均鍵能為300kJ/mol，共價鍵與離子鍵比值約為4:1，這使得其難以燒結成致密陶瓷。阻礙SiC陶瓷燒結的因素有以下兩個方面： ①熱力學方面 SiC的晶界能較高，粉體顆粒表面能相對較低，SiC陶瓷燒結推動力低，燒結難度增大。目前可通過引入燒結助劑、選用納米級原料細粉及施加外部壓力的方式來促進燒結。 ②動力學方面 SiC晶格原子間的鍵能使得物質遷移所需能量高，物質難以擴散，而蒸發(fā)—凝聚傳質至少需要蒸
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- 12月18日，中科鋼研高純碳化硅粉和智能高端裝備制造項目開工儀式在山東菏澤舉行。 據悉，集中開工的兩個項目采用國際一流標準，建設智能高端裝備和高純碳化硅粉新材料兩個“總部+生產+研發(fā)”三合一項目，投資額均超過10億元。早前披露信息顯示，2018年開工總投資10億元的山東萊西中科鋼研半導體項目預計年內投產，全部達產可實現年產5萬片4英寸碳化硅晶體襯底片、5000片4英寸高純度半絕緣型碳化硅晶體襯底片。菏澤項目無疑是該項目原料就近供給的有力支撐。 中科鋼研擁有先進的4／8英寸升華法碳
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