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- 碳化硅微粉去除碳雜質(zhì)主要工藝[ 04-10 17:00 ]
- 碳化硅微粉去除碳雜質(zhì)主要工藝 1.化學(xué)除碳工藝 1.1加熱氧化法 通過對碳化硅微粉進(jìn)行高溫煅燒，使碳化硅微粉中的游離碳及石墨與空氣中的氧氣反應(yīng)，以二氧化碳或者一氧化碳的形式脫離碳化硅，從而實(shí)現(xiàn)了除碳的目的。 付仲超等利用高溫煅燒除去碳化硅微粉中的碳雜質(zhì)。該方法的最佳工藝條件為煅燒溫度為900℃，煅燒時(shí)間為3h，碳化硅內(nèi)部的碳雜質(zhì)得到了完全去除。 宋本營等以空氣為氧化介質(zhì)進(jìn)行碳化硅微粉與碳雜質(zhì)的分離。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)氧化溫度在450～560℃之間，氧化時(shí)間在4h，雜質(zhì)碳的去除率可以達(dá)到98.6%～99.2%
- 認(rèn)識晶須之王——碳化硅晶須[ 04-01 15:38 ]
- 碳化硅陶瓷的基本特性[ 04-01 15:24 ]
- 碳化硅陶瓷材料具有高溫強(qiáng)度大、高溫抗氧化性強(qiáng)、耐磨損性能好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率大、硬度高、抗熱震和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)良特性，在汽車、機(jī)械化工、環(huán)境保護(hù)、空間技術(shù)、信息電子、能源等領(lǐng)域有著日益廣泛的應(yīng)用，已經(jīng)成為一種在很多工業(yè)領(lǐng)域性能優(yōu)異的其他材料不可替代的結(jié)構(gòu)陶瓷。 基本特性 一、化學(xué)屬性 1、抗化合性：碳化硅材料在氧氣中反應(yīng)達(dá)到1300℃時(shí)會生成二氧化硅保護(hù)層，抵制碳化硅繼續(xù)被化合。1900K是碳化硅在氧化劑氛圍下的最高工作氣溫。 2
- 碳化硅陶瓷的主要應(yīng)用[ 09-03 08:48 ]
- 近年以來高性能碳化硅陶瓷的研究與應(yīng)用一直備受關(guān)注。碳化硅陶瓷作為現(xiàn)代工程陶瓷之一，由于其硬度僅次于金剛石，具有熱膨脹系數(shù)小、熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性好、耐磨性能高、在高溫下仍具有良好力學(xué)性能和抗氧化性能等突出的物理化學(xué)性質(zhì)，同時(shí)，SiC還具有低的中子活性、良好的耐輻照損傷能力和高溫結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)，成為極具發(fā)展前景的結(jié)構(gòu)陶瓷。因此被廣泛應(yīng)用于石油化工、冶金機(jī)械、微電子器件和航空航天等領(lǐng)域。 SiC陶瓷的應(yīng)用領(lǐng)域
- 高純碳化硅微量元素測定啟用新國標(biāo)[ 09-02 12:43 ]
- 據(jù)中國粉體網(wǎng)發(fā)布相關(guān)消息獲悉：2019年9月1日起，高純碳化硅微量元素的測定啟用新國標(biāo)（GB/T37254-2018）。 高純碳化硅微量元素的測定（GB/T37254-2018）規(guī)定了采用電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜（ICP-OES）法和電感耦合等離子體質(zhì)譜（ICP-MS）法測定高純碳化硅中微量元素含量的方法。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅質(zhì)量分?jǐn)?shù)含量大于或等于99.9%的高純碳化硅材料中鋁、砷、鈣、鉻、銅、鐵、汞、鉀、鎂、錳、鈉、鎳、鉛、硫、鈦、
