碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的“中堅(jiān)力量”：外延生長(zhǎng)[ 05-28 15:42 ]

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(zhǎng)、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。外延生長(zhǎng)作為承上啟下的重要環(huán)節(jié)，是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅(jiān)力量。 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長(zhǎng)、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長(zhǎng)高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各

碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 05-25 15:30 ]

碳化硅單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。 晶片的表面會(huì)有損傷，損傷源于本來晶體生長(zhǎng)的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對(duì)于局部損傷，世界上有四種方法：不管、更換、修補(bǔ)、去除；對(duì)于碳化硅表面的損傷層，不管不顧肯定不行，因?yàn)闀?huì)影響器件的成品率；更換晶片，不就是砸自己的飯碗嘛；修補(bǔ)其實(shí)是再次生長(zhǎng)，現(xiàn)在沒有低成本的方案；而去除是一條還算可行的，用一定的材料廢棄，來提高總體材料

碳化硅器件應(yīng)用于逆變器優(yōu)勢(shì)[ 05-20 16:41 ]

碳化硅導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗優(yōu)勢(shì)明顯。就電動(dòng)汽車逆變器而言，功率器件是核心能量轉(zhuǎn)換單元，其損耗包含兩部分，導(dǎo)通損耗Econ和開關(guān)損耗Esw。 碳化硅在電流比較小也就是輕載的工況下導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)是比較明顯的，再結(jié)合輕載工況開關(guān)損耗占比更大（碳化硅開關(guān)損耗也低），這也印證了為什么碳化硅更適合城市工況。因此逆變器應(yīng)用碳化硅MOS體現(xiàn)在效率Map上就是高效區(qū)面積比較大。 另外，碳化硅MOS打開時(shí)雙向?qū)?，又?guī)避了IGBT模塊在續(xù)流時(shí)，F(xiàn)RD的導(dǎo)通壓降比IGBT大的問題，進(jìn)一步降低導(dǎo)通損耗。 碳化硅可降低整車能耗

SiC器件在各行業(yè)中的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)[ 05-16 16:55 ]

1、電源/大型服務(wù)器：用于電源及功率因數(shù)校正器內(nèi)部，減積減重、提高效率、降低損耗。 2、光伏：用于光伏逆變器中，光伏發(fā)電產(chǎn)生的電流為直流電，需要通過逆變器轉(zhuǎn)換為交流電以實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)。采用SiC功率器件可以減積減重；提高逆變轉(zhuǎn)化效率2%左右，綜合轉(zhuǎn)換效率達(dá)到98%；降低損耗，提高光伏發(fā)電站經(jīng)濟(jì)效益；SiC材料特性，降低故障率。 3、風(fēng)電：用于風(fēng)電整流器、逆變器、變壓器，風(fēng)力發(fā)電產(chǎn)生的交流電易受風(fēng)力影響使得電壓、電流不穩(wěn)定，先要經(jīng)過整流為直流電后再逆變成交流電實(shí)現(xiàn)并網(wǎng)，提高效率、降低損耗，同時(shí)成本和質(zhì)量分別減少

碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]

①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國(guó)際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品，單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù)；p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長(zhǎng)技術(shù)有待進(jìn)一步提高。 ③SiC功率器件的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)尚未完全形成，尚不能撼動(dòng)目前硅功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)上的主體地位。 國(guó)際SiC器件領(lǐng)域：SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制；SiC器件工藝技術(shù)水平比較低；缺乏統(tǒng)一的測(cè)試評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。 中國(guó)SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個(gè)方面差距：