碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要分為襯底制備、外延生長、器件制造、模塊封測(cè)和系統(tǒng)應(yīng)用等幾個(gè)重要的環(huán)節(jié)。碳化硅器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，無法直接在碳化硅單晶材料上制備，需在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。外延生長作為承上啟下的重要環(huán)節(jié)，是產(chǎn)業(yè)鏈的中堅(jiān)力量。

碳化硅外延的成品為外延片，即在碳化硅襯底上生長了一層有一定要求的、與襯底晶相同的單晶薄膜（外延層）的碳化硅片。為了滿足寬禁帶半導(dǎo)體器件在不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)﹄娮璧葏?shù)的特定要求，其制備需在外延層上，碳化硅晶片本身只作為襯底，因此外延質(zhì)量的好壞將會(huì)影響碳化硅器件的性能。

目前碳化硅襯底上常見外延有碳化硅同質(zhì)外延和氮化鎵異質(zhì)外延，前者適用于高壓性能的功率器件，后者適用于高頻性能的射頻器件。