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碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能[ 03-22 16:17 ]
去年發(fā)布的“‘十四五’規(guī)劃和2035年遠景目標綱要”明確提出,我國將加速推動以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體新材料新技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進程,催生一批高速成長的新材料企業(yè)。 作為第三代半導(dǎo)體代表材料,碳化硅具有優(yōu)良的物理和化學(xué)性能。 力學(xué)性能:高硬度(克氏硬度為3000kg/mm2),可以切割紅寶石;高耐磨性,僅次于金剛石。 熱學(xué)性能:熱導(dǎo)率超過金屬銅,是Si的3倍,是GaAs的8~10倍,散熱性能好,對于大功率器件非常重要。 化學(xué)性能:耐腐蝕性非常
碳化硅陶瓷材料的防彈原理是什么[ 02-10 08:48 ]
在大家的印象里,陶瓷是易碎品。但經(jīng)過現(xiàn)代科技加工后,碳化硅陶瓷“搖身一變”,成為了一種堅硬、高強度的新材料,尤其是在對材料有特殊物理性能要求的防彈領(lǐng)域,碳化硅陶瓷更是大放異彩,成為非常熱門的防彈材料。 裝甲防護的基本原理是消耗射彈能量、使射彈減速并達到無害。絕大部分傳統(tǒng)的工程材料,如金屬材料通過結(jié)構(gòu)發(fā)生塑性變形來吸收能量,而碳化硅陶瓷材料則是通過微破碎過程吸收能量。 碳化硅防彈陶瓷的吸能過程大致可分為3個階段。(1)初始撞擊階段:彈丸撞擊陶瓷表面,使彈頭變鈍,在陶瓷表面粉碎形成細
SiC反向恢復(fù)時間與Si MOSFET相比如何?[ 12-20 14:43 ]
SiCMOSFET與其硅對應(yīng)物一樣,具有內(nèi)部體二極管。體二極管提供的主要限制之一是不希望的反向恢復(fù)行為,當(dāng)二極管關(guān)斷同時承載正正向電流時會發(fā)生這種情況。因此,反向恢復(fù)時間(trr)成為定義MOSFET特性的重要指標。圖2顯示了1000V基于Si的MOSFET和基于SiC的MOSFET的trr之間的比較??梢钥闯?,SiCMOSFET的體二極管非??欤簍rr和Irr的值小到可以忽略不計,能量損失Err大大降低。
碳化硅如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理?[ 12-20 14:41 ]
另一個重要參數(shù)是熱導(dǎo)率,它是半導(dǎo)體如何散發(fā)其產(chǎn)生的熱量的指標。如果半導(dǎo)體不能有效散熱,則器件可以承受的最大工作電壓和溫度會受到限制。這是碳化硅優(yōu)于硅的另一個領(lǐng)域:碳化硅的導(dǎo)熱率為1490W/mK,而硅的導(dǎo)熱率為150W/mK。
為什么SiC在高頻下的表現(xiàn)優(yōu)于IGBT?[ 12-20 14:39 ]
在大功率應(yīng)用中,過去主要使用IGBT和雙極晶體管,目的是降低高擊穿電壓下出現(xiàn)的導(dǎo)通電阻。然而,這些設(shè)備提供了顯著的開關(guān)損耗,導(dǎo)致發(fā)熱問題限制了它們在高頻下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件,實現(xiàn)高電壓、低導(dǎo)通電阻和快速運行。
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