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碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體目前存在的問題[ 05-14 15:50 ]
①大尺寸SiC單晶襯底制備技術(shù)仍不成熟。 目前國際上已經(jīng)開發(fā)出了8英寸SiC單晶樣品,單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術(shù);p型襯底技術(shù)的研發(fā)較為滯后。 ②n型SiC外延生長技術(shù)有待進(jìn)一步提高。 ③SiC功率器件的市場優(yōu)勢尚未完全形成,尚不能撼動目前硅功率半導(dǎo)體器件市場上的主體地位。 國際SiC器件領(lǐng)域:SiC功率器件向大容量方向發(fā)展受限制;SiC器件工藝技術(shù)水平比較低;缺乏統(tǒng)一的測試評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)。 中國SiC功率器件領(lǐng)域存在以下3個方面差距:
多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷的制備與力學(xué)性能表征[ 05-09 16:20 ]
多孔重結(jié)晶碳化硅陶瓷(recrystallizedsiliconCarbides,RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質(zhì)相而具有優(yōu)異的高溫力學(xué)性能、熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性能、高熱導(dǎo)率以及較小的熱膨脹系數(shù),作為高溫結(jié)構(gòu)材料廣泛用于航空航天等領(lǐng)域。而且由于燒結(jié)過程中不收縮,可以制備形狀復(fù)雜、精度較高的部件。 目前,針對RSiC的研究和應(yīng)用,一方面在于提高其致密度用于極端環(huán)境服役的高溫結(jié)構(gòu)材料,另一方面在于提高其氣孔率用于高溫過濾催化用的多孔結(jié)構(gòu)/功能材料。 高溫過濾催化用多孔材料,如用作柴油車尾氣顆粒物過濾器(Die
做一片八英寸SiC晶圓生產(chǎn)難點(diǎn)在哪?[ 05-07 16:27 ]
目前以硅基為材料的晶圓已經(jīng)開始從8英寸邁向了12英寸,硅晶圓的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)是否可以助力SiC晶圓向更大面積發(fā)展,與硅晶圓相比,SiC晶圓的生產(chǎn)難點(diǎn)又在哪里?   包括SiC在內(nèi)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括包括襯底→外延→設(shè)計(jì)→制造→封裝。其中,襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料,起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用;外延是在襯底材料上生長出新的半導(dǎo)體晶層,這些外延層是制造半導(dǎo)體芯片的重要原料,影響器件的基本性能;設(shè)計(jì)包括器件設(shè)計(jì)和集成電路設(shè)計(jì),其中器件設(shè)計(jì)包括半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、材
SiC外延生長常見元素[ 04-18 16:40 ]
SiC外延生長:常見元素 襯底: •用于電力電子的4H多型 •當(dāng)前晶圓直徑150mm和200mm •定向4°離軸 •雙面拋光 •在晶片的硅面上生長的外延 •需要對硅表面進(jìn)行仔細(xì)的化學(xué)機(jī)械拋光(cmp)以減少缺陷 生長參數(shù): •溫度~1650oC •壓力~50-100mbar •硅源 •碳源 •摻雜氣體 •C
SiC相對于Si器件的優(yōu)勢[ 04-17 15:34 ]
SiC相對于Si器件的優(yōu)勢: •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓 •較薄的漂移層降低了整體器件電阻 •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運(yùn)行 •SiC的高導(dǎo)熱性允許器件在>200C的高溫下運(yùn)行
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