APEX微技術(shù)推出SA310碳化硅無刷直流電機驅(qū)動器[ 02-08 10:10 ]

 Q問：在沒有散熱器的情況下，SA310 3相SiC模塊能做什么？ A在空間非常寶貴的情況下，SA310可通過自己的鎳鋼合金外殼排出內(nèi)部功耗產(chǎn)生的熱量。下方的圖來自SA310數(shù)據(jù)表，表明了在沒有散熱器的SA310的運行點下，供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率的限制。 在供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率這三個參數(shù)中，一個參數(shù)越高，其他兩個參數(shù)就必須越低，才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)（或者說，才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持在數(shù)據(jù)表內(nèi)的最大額定值以下）。該圖直接表明，在SA310沒有散熱器的情況下，供電電流（差

碳化硅芯片在國內(nèi)汽車行業(yè)中的發(fā)展現(xiàn)狀[ 01-20 15:52 ]

據(jù)湖南日報顯示，近日由中車時代電氣C-Car平臺孵化的全新一代產(chǎn)品C-Power220s，在中車電驅(qū)第10萬臺產(chǎn)品下線暨第二屆中車電驅(qū)自主創(chuàng)新技術(shù)高峰論壇上正式發(fā)布，該產(chǎn)品是國內(nèi)首款基于自主碳化硅（SiC）大功率電驅(qū)產(chǎn)品，系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%。應(yīng)用了碳化硅技術(shù)的C-Power220s高壓碳化硅電驅(qū)系統(tǒng)產(chǎn)品具有系統(tǒng)功率密度高、系統(tǒng)損耗少、續(xù)航能力強的優(yōu)勢，其系統(tǒng)效率最高可達(dá)94%，可適應(yīng)當(dāng)前新能源汽車高頻快充、長續(xù)航、高安全的需求，并廣泛適配于高端轎車、SUV等車型，可靈活前后置搭載，能為乘客帶來更安全、更高效、更

碳化硅芯片在國外汽車行業(yè)中的發(fā)展現(xiàn)狀[ 01-19 15:49 ]

在全球，碳化硅功率半導(dǎo)體的需求量不斷攀升。越來越多的廠商對碳化硅功率半導(dǎo)體加大投入，國外知名廠商有ROHM、Bombardier、Cree、SDK、STMicroelectronics、InfineonTechnologies、Littelfuse、Ascatron等。作為全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應(yīng)商，博世于兩年前宣布將繼續(xù)推進(jìn)碳化硅芯片研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。為實現(xiàn)這一目標(biāo)，博世自主開發(fā)了極為復(fù)雜的制造工藝流程，并于2021年初開始生產(chǎn)用于客戶驗證的樣品。 由市場調(diào)研咨詢公司Yole發(fā)布的預(yù)測顯示，從現(xiàn)在到2025年

國內(nèi)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料（CMC）整體渦輪葉盤首次完成飛行試驗[ 01-13 14:27 ]

據(jù)中國航發(fā)動力研究所報道，國內(nèi)科研機構(gòu)研發(fā)的陶瓷基復(fù)合材料（CMC）整體渦輪葉盤在株洲成功完成了首次飛行試驗驗證，這也是國內(nèi)陶瓷基復(fù)合材料轉(zhuǎn)子件首次配裝平臺的空中飛行試驗。 陶瓷基復(fù)合材料是未來航空發(fā)動機最有前景的材料之一，是提高航空發(fā)動機性能的關(guān)鍵材料。一般認(rèn)為當(dāng)發(fā)動機推得比達(dá)到或者超過15的時候，就需要采用陶瓷基復(fù)合材料這樣的先進(jìn)材料確保發(fā)動機性能達(dá)標(biāo)。根據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，第6代戰(zhàn)斗機采用的高推重比發(fā)動機渦輪前溫度將會突破2000度，這樣就對高溫渦輪提出了更高的要求。制造耐溫度能力更強、重量更輕、使用壽命更

新加坡與法國Soitec合作開發(fā)200毫米低成本碳化硅半導(dǎo)體器件[ 01-12 14:24 ]

1月10日，新加坡科學(xué)、技術(shù)和研究機構(gòu) (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布開展研究合作，共同開發(fā)滿足電動汽車和高壓電子設(shè)備應(yīng)用的碳化硅器件。具體而言則是IME采用Soitec專有技術(shù)生產(chǎn)的200毫米直徑碳化硅襯底開發(fā)外延及MOSFET，并以此建立基準(zhǔn)展示優(yōu)勢。 法國Soitec利用其智能切割技術(shù)（SmartCut），可生產(chǎn)高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化硅晶圓襯底。SmartCut技術(shù)是在低質(zhì)量的載體上粘貼高質(zhì)量的單晶碳化硅，