1月10日，新加坡科學、技術(shù)和研究機構(gòu) (A*STAR)旗下微電子研究所 (IME)和法國Soitec半導體公司宣布開展研究合作，共同開發(fā)滿足電動汽車和高壓電子設(shè)備應用的碳化硅器件。具體而言則是IME采用Soitec專有技術(shù)生產(chǎn)的200毫米直徑碳化硅襯底開發(fā)外延及MOSFET，并以此建立基準展示優(yōu)勢。

法國Soitec利用其智能切割技術(shù)（SmartCut），可生產(chǎn)高性能、低能耗和低成本的150mm和200mm直徑碳化硅晶圓襯底。SmartCut技術(shù)是在低質(zhì)量的載體上粘貼高質(zhì)量的單晶碳化硅，形象一些的比喻是把碳化硅襯底變成和三明治一樣的結(jié)構(gòu)。這樣不僅可以提升元件的電氣性能，同時還可以降低成本，提升產(chǎn)量。簡單用數(shù)字對比，該技術(shù)可以將傳統(tǒng)工藝生產(chǎn)的碳化硅襯底變成10個。

A*STAR（AgencyforScience,TechnologyandReseach）是新加坡最大的科研機構(gòu)，旗下IME（InstituteofMicroelectronics）則在集成電路和系統(tǒng)以及研究設(shè)計和過程技術(shù)方面建立了強大的專門知識和能力。

雙方本次研究合作計劃持續(xù)到2024年年中，Soitec首席技術(shù)官兼高級執(zhí)行副總裁ChristopheMaleville表示：“這是我們與新加坡微電子研究所合作并展示SmartSiC襯底可擴展到200mm的絕佳機會。作為這一新工藝的主要受益者，新加坡的半導體生態(tài)系統(tǒng)將有機會驗證通過我們合作生產(chǎn)的SiC晶圓的卓越能效。”