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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅現(xiàn)在面臨的缺點(diǎn)和掣肘是什么?[ 09-12 15:09 ]
- 碳化硅優(yōu)點(diǎn)很多,但是目前也僅僅是一個(gè)小汽車應(yīng)用場(chǎng)景上使用,還是無(wú)法大規(guī)模替代硅功率器件,業(yè)內(nèi)從技術(shù)和產(chǎn)業(yè)角度來(lái)理解有以下這些問(wèn)題。 首先碳化硅這種材料,在自然界是沒(méi)有的,必須人工合成,結(jié)果必然是成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于可以自然開(kāi)采的材料,而且碳化硅升華熔點(diǎn)約2700度,且沒(méi)有液態(tài),只有固態(tài)和氣態(tài),因此注定不能用類似拉單晶的切克勞斯基法(CZ法)制備,因此第一步晶體生長(zhǎng)技術(shù)卡住了第一步也是最關(guān)鍵的一步,導(dǎo)致原材料價(jià)格過(guò)于昂貴。 因此碳化硅6英寸襯底高達(dá)1000美金,而6英寸硅片為23美金(150元),兩者實(shí)在差太多了
- 寬禁帶半導(dǎo)體材料的優(yōu)點(diǎn)[ 09-09 17:05 ]
- 碳化硅,氮化鎵有個(gè)很拉風(fēng)的名字叫寬禁帶半導(dǎo)體材料,國(guó)內(nèi)也叫第三代半導(dǎo)體。它特指禁帶寬度超過(guò)2.2eV的材料主要是碳化硅(3.2eV)和氮化鎵(3.34eV);超過(guò)4.0eV叫超寬禁帶半導(dǎo)體材料,國(guó)內(nèi)叫第四代半導(dǎo)體材料,包括氮化鋁(AlN),金剛石(C),氧化鎵(Ga2O3)和氧化鋅(ZnO),就是上上周美國(guó)搞制裁的那個(gè),有意思的是美國(guó)只禁了氧化鎵和金剛石,不提氮化鋁和氧化鋅,嘿嘿!說(shuō)明他們這塊不行,氮化鋁可能還是日本和中國(guó)搞的出色些。 禁帶寬度物理意義是實(shí)際上是反映了價(jià)電子被束縛強(qiáng)弱程度的一個(gè)物理量,也就是產(chǎn)
- 三種生長(zhǎng)SiC單晶用SiC粉體制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)[ 09-08 17:45 ]
- 生長(zhǎng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體;液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長(zhǎng)需要的SiC粉體;固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣,合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 目前合成單晶生長(zhǎng)用高純SiC的方法并不多,以CVD法和改進(jìn)的自蔓延合成法為主,其中氣相法合成的粉體多為納米級(jí),生產(chǎn)效率低,無(wú)法滿足工業(yè)需求;同時(shí),固相法制備過(guò)程的眾多雜質(zhì)中,N元素的含量一直
- 碳化硅晶圓生產(chǎn)用高純碳化硅粉制備方法[ 09-07 15:41 ]
- 生長(zhǎng)SiC單晶用的SiC粉體純度要求很高,其中雜質(zhì)含量應(yīng)至少低于0.001%。在眾多SiC粉合成方法中,氣相法通過(guò)控制氣源中的雜質(zhì)含量可以獲得純度較高的SiC粉體;液相法中只有溶膠-凝膠法可以合成純度滿足單晶生長(zhǎng)需要的SiC粉體;固相法中的改進(jìn)自蔓延高溫合成法是目前使用范圍最廣,合成工藝最成熟的SiC粉體的制備方法。 一、氣相法 1.化學(xué)氣相沉積法(CVD法) CVD法是通過(guò)氣體的高溫反應(yīng)得到超細(xì)、高純的SiC粉體,其中Si源一般選擇SiH4和SiCl4等,C源一般選擇CH4、C2H2和CCl4等
- 碳化硅粉在碳化硅晶圓生產(chǎn)中的應(yīng)用[ 09-06 16:39 ]
- 碳化硅晶圓的生產(chǎn),是先要制備碳化硅襯底,目前其制備多采用改進(jìn)Lely法、高溫CVD法和溶液法,其中以改進(jìn)Lely法為主流。 Lely法,又稱升華法,其基本原理是:在空心圓筒狀石墨坩堝中(最外層石墨坩堝,內(nèi)置多孔石墨環(huán)),將具有工業(yè)級(jí)純度的碳化硅粉料投入坩堝與多孔石墨環(huán)之間加熱到2500℃,碳化硅在此溫度下分解與升華,產(chǎn)生一系列氣相物質(zhì)比如硅單晶、Si2C和SiC2等。由于坩堝內(nèi)壁與多孔石墨環(huán)之間存在溫度梯度,這些氣相物質(zhì)在多孔石墨環(huán)內(nèi)壁隨機(jī)生成晶核。但Lely法產(chǎn)率低,晶核難以控制,而且會(huì)形成不同結(jié)構(gòu),尺寸也