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聯(lián)系金蒙新材料
- 碳化硅陶瓷在新能源領(lǐng)域的潛力[ 09-05 16:13 ]
- 碳化硅陶瓷是從20世紀(jì)60年代開始發(fā)展起來的一種先進(jìn)陶瓷材料，由于具備化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、密度小、耐磨性能好、硬度大、機械強度高、耐化學(xué)腐蝕等特性，在精細(xì)化工、半導(dǎo)體、冶金、國防軍工等領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。 值得關(guān)注的是，在近年發(fā)展得如火如荼的鋰電池領(lǐng)域中，碳化硅陶瓷在其原料的制備環(huán)節(jié)上也同樣發(fā)揮著重要作用，如： ①磷酸鐵鋰正極材料的超細(xì)研磨 磷酸鐵鋰是目前廣泛使用的鋰電池正極材料之一。由于納米粒子可減小鋰離子嵌入脫出深度和行程，保證大電流放電時容量不衰減，因此“超
- 碳化硅功率器件的多功能集成封裝技術(shù)和散熱技術(shù)介紹[ 09-03 16:45 ]
- 碳化硅器件的出現(xiàn)推動了電力電子朝著小型化的方向發(fā)展，其中集成化的趨勢也日漸明顯。瓷片電容的集成較為常見，通過將瓷片電容盡可能靠近功率芯片可有效減小功率回路寄生電感參數(shù)，減小開關(guān)過程中的震蕩、過沖現(xiàn)象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。 驅(qū)動集成技術(shù)也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了SiC智能功率模塊(IPM)，將驅(qū)動芯片以及相關(guān)保護電路集成到模塊內(nèi)部，并用于家電等設(shè)備當(dāng)中。此外，還有EMI濾波器集成，溫度、電流傳感器集成、微通道散熱集成等均有運用到碳化硅封裝設(shè)計當(dāng)中。
- 碳化硅功率器件的高溫封裝技術(shù)介紹[ 09-02 17:02 ]
- 在進(jìn)行芯片正面連接時可用銅線替代鋁線，消除鍵合線與DBC銅層之間的熱膨脹系數(shù)差異，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。 錫片或錫膏常用于芯片和DBC板的連接，焊接技術(shù)非常成熟而且簡單，通過調(diào)整焊錫成分比例，改進(jìn)錫膏印刷技術(shù)，真空焊接減小空洞率，添加還原氣體等可實現(xiàn)極高質(zhì)量的焊接工藝。但焊錫熱導(dǎo)率較低，且會隨溫度變化，并不適宜SiC器件在高溫下工作。此外，焊錫層的可靠性問題也是模塊失效的一大原因。 燒結(jié)銀連接
- 碳化硅功率器件的低雜散電感封裝技術(shù)介紹[ 09-01 16:56 ]
- 目前已有的大部分商用SiC器件仍采用傳統(tǒng)Si器件的封裝方式。傳統(tǒng)封裝技術(shù)成熟，成本低，而且可兼容和替代原有Si基器件。但傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其雜散電感參數(shù)較大，在碳化硅器件快速開關(guān)過程中造成嚴(yán)重電壓過沖，也導(dǎo)致?lián)p耗增加及電磁干擾等問題。 而雜散電感的大小與開關(guān)換流回路的面積相關(guān)。其中，金屬鍵合連接方式、元件引腳和多個芯片的平面布局是造成傳統(tǒng)封裝換流回路面積較大的關(guān)鍵影響因素。消除金屬鍵合線可以有效減小雜散電感值，將其大小控制在5nH以下。下面就其中典型的封裝結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行介紹。 ①單管翻轉(zhuǎn)貼片封裝 阿肯
- 什么是SiCf/SiC復(fù)合材料[ 08-30 16:24 ]
- SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料是指在SiC陶瓷基體中引入SiC纖維作為增強材料，形成以引入的SiC增強纖維為分散相，以SiC陶瓷基體為連續(xù)相的復(fù)合材料。SiCf/SiC陶瓷基復(fù)合材料保留了SiC陶瓷耐高溫、高強度、抗氧化、耐腐蝕、耐沖擊的優(yōu)點，同時兼具SiC纖維增強增韌作用，克服了SiC陶瓷斷裂韌性低和抗外部沖擊載荷性能差的先天缺陷。SiCf/SiC復(fù)合材料作為一種綜合性能優(yōu)異的高溫?zé)峤Y(jié)構(gòu)材料，在航空、航天、核能、汽車等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景，成為目前各個西方國家的研究熱點。
