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- 大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積（CVD）技術[ 08-23 16:25 ]
- 光刻機等集成電路關鍵制造裝備中某些高性能光學元件對材料制備有著苛刻的要求，不僅要求材料具有高的穩(wěn)定性，還需滿足某些特定的光學性能要求。反應燒結碳化硅經拋光后其面型精度高，但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料，在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致，無法達到更高的面型精度，因此無法滿足特定光學部件性能要求。 采用反應燒結碳化硅基體結合化學氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡，通過優(yōu)化先驅體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場、溫度場等關鍵工藝參數，可實現(xiàn)大面積、均勻CVDSi
- 碳化硅陶瓷反應連接技術[ 08-22 17:23 ]
- 全封閉、中空部件的制備一般采用連接工藝獲得，目前常用的陶瓷連接方法主要有釬焊、擴散焊等，但這些方法均存在工藝復雜、焊接料性能同碳化硅基體差別大等缺點，難以滿足光刻機等集成電路制造裝備對復雜結構部件的使用要求。 根據反應燒結碳化硅的工藝特點，將待粘接零部件進行預處理，并通過粘接料對制品進行粘接，隨后再進行反應燒結，使制品的連接與反應燒結同步完成。通過調節(jié)粘接料的組分、控制連接工藝，可實現(xiàn)復雜結構部件的致密、高強度、無縫隙粘接。
- 高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝[ 08-20 16:21 ]
- 雖然采用凝膠注模成型工藝可以實現(xiàn)復雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備，但該工藝對模具要求高，在制備復雜大尺寸部件時需設計和制造模具，增加了時間成本和模具成本，一定程度上制約了該工藝在陶瓷結構件批量化生產中的應用。另一方面，對一些尺寸精度要求高的陶瓷部件，凝膠注模成型工藝則無法滿足其尺寸精度要求。 與傳統(tǒng)“自下而上”的無模成型工藝不同，陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝，其原理類似金屬材料或木材的加工過程如車、
- 碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]
- 凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎，該工藝是一種精細的膠態(tài)成型工藝(Colloidalprocessing)，可實現(xiàn)大尺寸、復雜結構坯體的高強度、高均勻性、近凈尺寸成型，陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關鍵環(huán)節(jié)之一。 就碳化硅在光刻機構件中的應用而言，分散良好、高穩(wěn)定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優(yōu)質、均勻結構碳/碳化硅坯體的前提。此外，料漿具有高的固相體積分數則可以有效減小陶瓷坯體干燥時的收縮，有利于實現(xiàn)陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應地，陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題：一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相
- 集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件的特點[ 08-18 16:52 ]
- 集成電路制造關鍵技術及裝備主要有包括光刻技術及光刻裝備、薄膜生長技術及裝備、化學機械拋光技術及裝備、高密度后封裝技術及裝備等，均涉及高效率、高精度、高穩(wěn)定性的運動控制技術和驅動技術，對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機中工件臺為例，該工件臺主要負責完成曝光運動，要求實現(xiàn)高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動，如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機，其工件臺定位精度要求達到10nm，掩模硅片同時步進和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s，掩模掃描速度
