碳化硅做為新型半導(dǎo)體材料的使用
碳化硅(SIC)被半導(dǎo)體界公認(rèn)為“一種未來(lái)的材料”,是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽?dǎo)體材料。預(yù)計(jì)在今后5~10年將會(huì)快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅(SI)材料的負(fù)載量已到達(dá)極限,以硅作為基片的半導(dǎo)體器件性能和能力極限已無(wú)可突破的空間。
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