- [常見問題解答]碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法[ 2022-05-25 15:30 ]
- 碳化硅單晶生長之后是晶碇,而且具有表面缺陷,是沒法直接用于外延的,這就需要加工。其中,滾圓把晶碇做成標準的圓柱體,線切割會把晶碇切割成晶片,各種表征保證加工的方向,而拋光則是提高晶片的質量。 晶片的表面會有損傷,損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷,世界上有四種方法:不管、更換、修補、去除;對于碳化硅表面的損傷層,不管不顧肯定不行,因為會影響器件的成品率;更換晶片,不就是砸自己的飯碗嘛;修補其實是再次生長,現(xiàn)在沒有低成本的方案;而去除是一條還算可行的,用一定的材料廢棄,來提高總體材料
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- [金蒙新材料百科]碳化硅晶片生產(chǎn)流程及清洗技術[ 2022-03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片經(jīng)過清洗可以有效去除表面沾污和雜質,同時保證不引入新的雜質,從而使最終的碳化硅晶片產(chǎn)品滿足半導體下游客戶的要求。 傳統(tǒng)的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染,但是碳化硅是一種極性晶體,表面帶有一定的電荷,吸附污染物后變得更加難以清洗。
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- [金蒙新材料百科]低翹曲度碳化硅晶體切割技術難點[ 2022-03-16 15:44 ]
- 碳化硅的莫氏硬度為9.5,硬度與金剛石接近,只能用金剛石材料進行切割,切割難度大,保證切割過程穩(wěn)定獲得低翹曲度的晶片是技術難點之一。 為了達到下游外延開盒即用的質量水平,需要對碳化硅襯底表面進行超精密加工,以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆??刂埔?。 化學機械拋光屬于化學作用和機械作用相結合的技術,碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發(fā)生化學反應,生成一層相對容易去除的軟質層,然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質層,在化學作用和機械作用的交替進行的過程中完成表面拋光,過程較為
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- [行業(yè)資訊]碳化硅半導體納入國家“十四五”規(guī)劃重點支持領域[ 2022-03-11 15:24 ]
- 我國“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導體納入重點支持領域,隨著國家“新基建”戰(zhàn)略的實施,碳化硅半導體將在5G基站建設、特高壓、城際高速鐵路和城市軌道交通、新能源汽車充電樁、大數(shù)據(jù)中心等新基建領域發(fā)揮重要作用。晶片(襯底)作為碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)鏈的基礎材料,具有較高的應用前景和產(chǎn)業(yè)價值,在我國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中具有重要的戰(zhàn)略地位。 碳化硅晶片產(chǎn)品尺寸越大、技術參數(shù)水平越高,其技術優(yōu)勢越明顯,長期以來,碳化硅晶片的核心技術和市場基本被歐美發(fā)達國家壟斷,這無疑突出了一個事實,即
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- [行業(yè)資訊]晶盛機電年產(chǎn)40萬片碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目3月開工[ 2022-03-04 09:30 ]
- 近日,由浙江晶盛機電股份有限公司總投資50億元建設的“碳化硅襯底晶片生產(chǎn)項目”落戶寧夏銀川。其中,一期預計3月開工建設,投資總額33.6億元,一期建成達產(chǎn)后預計年產(chǎn)6英寸碳化硅晶片40萬片。 晶盛機電主要圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開展業(yè)務,具備全球最大的700Kg藍寶石生長能力。據(jù)2月7日募資投建碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目和年產(chǎn)80臺套半導體材料拋光及減薄設備生產(chǎn)制造項目的公告披露,晶盛機電已組建一條從原料合成-晶體生長-切磨拋加工的中試產(chǎn)線,6英寸碳化硅晶片已獲得客戶驗
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- [行業(yè)資訊]碳化硅電力電子器件發(fā)展中的難題分析[ 2017-05-18 16:25 ]
- 1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一種肉眼都可以看得見的宏觀缺陷,在碳化硅晶體生長技術發(fā)展到能徹底消除微管缺陷之前,大功率電力電子器件就難以用碳化硅來制造。盡管優(yōu)質晶片的微管密度已達到不超過15cm-2 的水平。但器件制造要求直徑超過100mm的碳化硅晶體,微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工藝效率低。碳化硅的氣相同質外延一般要在1500℃以上的高溫下進行。由于有升華的問題,溫度不能太高,一般不能超過1800℃,因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高,但產(chǎn)量較低。 3.摻雜工藝有特殊要求。如用擴散
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- [金蒙新材料百科]碳化硅晶片簡單介紹[ 2016-01-28 15:59 ]
- 碳化硅晶片的主要應用領域有LED固體照明和高頻率器件。該材料具有高出傳統(tǒng)硅數(shù)倍的禁帶、漂移速度、擊穿電壓、熱導率、耐高溫等優(yōu)良特性,在高溫、高壓、高頻、大功率、光電、抗輻射、微波性等電子應用領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用有著不可替代的優(yōu)勢。國內(nèi)獨家碳化硅單晶供應商,在研發(fā)、技術、市場開發(fā)及商業(yè)運作等方面處絕對領先地位,已成功掌握76mm(3英寸)超大寶石級SiC2晶體生長核心技術工藝,達到國際2001年先進水平。
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- [行業(yè)資訊]碳化硅晶片的發(fā)展之路[ 2015-01-15 16:00 ]
- 早年,全球市場上碳化硅晶片價格十分昂貴,一片2英寸碳化硅晶片的國際市場價格曾高達500美元(2006年),但仍供不應求。高昂的原材料成本占碳化硅半導體器件價格的10%以上,碳化硅晶片價格已成為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸。
- http://m.821010.cn/Article/thgjpdfzzl_1.html
- [行業(yè)資訊]國產(chǎn)6英寸碳化硅晶片已實現(xiàn)量產(chǎn)[ 2015-01-15 15:31 ]
- 金蒙新材料公司從相關渠道獲悉,天科合達與中科院專家合作研究,成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底,并且形成了一條年產(chǎn)7萬片碳化硅晶片的生產(chǎn)線。
- http://m.821010.cn/Article/gc6ycthgjpysxlc_1.html
- [行業(yè)資訊]碳化硅晶片的市場狀況[ 2014-11-24 16:12 ]
- 早在上個世紀十代初,碳化硅半導體在物理、電子等方面的性能遠優(yōu)于硅半導體這一特征便被廣泛認知。經(jīng)過近五十的發(fā)展,硅半導體產(chǎn)業(yè)已成為全球每近萬億美元的巨型產(chǎn)業(yè),而以碳化硅(C)為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)還正處于起步階段,2005全球C半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模為10億美元。這是因為在上個世紀十代,單晶硅生長技術已經(jīng)漸趨成熟,而掌握碳化硅晶體生長技術只是十代末期之事。經(jīng)過數(shù)十不懈的努力,目前,全球只有少數(shù)的大學和研究機構研發(fā)出了碳化硅晶體生長和加工技術。在產(chǎn)業(yè)化方面,只有以美國Cree公司為代表的少數(shù)幾家公司能夠提供碳化硅晶片,國內(nèi)的碳化硅晶片的需求全賴于進口。
- http://m.821010.cn/Article/thgjpdsczk_1.html
- [行業(yè)資訊]碳化硅制品遠景一片光明[ 2014-08-30 08:45 ]
- 碳化硅半導體能應對“極點環(huán)境”,據(jù)稱,碳化硅晶片乃至能夠承受住金星或太陽鄰近的熱度。
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