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牛津儀器推出新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)解決方案

文章出處:粉體圈網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:YUXI人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-08-27 16:47:00【

據(jù)粉體圈整理消息:8月22日,牛津儀器(OxfordInstrumentsplc)旗下等離子技術(shù)公司(PlasmaTechnology)推出一種新型SiC外延襯底化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)的替代解決方案——等離子拋光干法蝕刻(PPDE),它不僅更清潔、環(huán)保、低成本,并且更穩(wěn)定。

CMP多年來(lái)一直是SiC襯底制備的最好選擇,但它存在不良率的頑疾,這在當(dāng)前滿足SiC需求增長(zhǎng)十分不利。首先,CMP漿料存在一定毒性,晶圓廠的CMP流程會(huì)對(duì)環(huán)境造成很大影響,并且大量消耗水資源;其次,CMP所須的拋光墊和特種化學(xué)品原材料成本高,且潛在供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)問(wèn)題;最后,CMP工藝本質(zhì)上會(huì)因?yàn)闈{料中化學(xué)品和拋光墊的不斷消耗而導(dǎo)致效果漂移,最終產(chǎn)品不穩(wěn)定。

PlasmaTechnology的戰(zhàn)略業(yè)務(wù)發(fā)展總監(jiān)評(píng)論說(shuō),“選擇等離子表面處理來(lái)生產(chǎn)SiC外延襯底是一個(gè)非常有吸引力的提議,作為一種與當(dāng)前方法相比的技術(shù),它以更低的成本提供更好的結(jié)果,并實(shí)現(xiàn)了SiC器件的環(huán)境可持續(xù)生產(chǎn)。”牛津儀器等離子技術(shù)公司將在9月正式推出PPDE專(zhuān)利工藝,并討論工業(yè)生產(chǎn)中實(shí)施和替代CMP工藝。

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