未來(lái)材料碳化硅的革命性進(jìn)展
第三代半導(dǎo)體材料主要包括以氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶Ⅲ族氮化物、以碳化硅(SiC)為代表的寬禁帶Ⅳ族化合物以及寬禁帶氧化物,具備擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能,是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”,在半導(dǎo)體照明、新一代移動(dòng)通信、新能源并網(wǎng)、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景,正在成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新的戰(zhàn)略高地。為助力中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展提質(zhì)增效,更好地整合國(guó)內(nèi)外第三代半導(dǎo)體行業(yè)的優(yōu)勢(shì)資源,實(shí)現(xiàn)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)迅速崛起。在科技部、發(fā)改委、工信部及北京政府等相關(guān)部門大力支持下,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和中關(guān)村科技園區(qū)順義園管理委員會(huì)主辦的2017國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇(IFWS 2017)將于2017年11月1-3日在北京首都機(jī)場(chǎng)希爾頓酒店召開。
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