碳化硅陶瓷熱等靜壓燒結
近年來,為進一步提高碳化硅陶瓷的力學性能,研究人員進行了碳化硅陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑,采用熱等靜壓燒結工藝,在1900℃便獲得高密度碳化硅燒結體。更進一步,通過該工藝,在2000℃和138MPa壓力下,成功實現(xiàn)無添加劑碳化硅陶瓷的致密燒結。
研究表明:當碳化硅微粉末的粒徑小于0.6μm時,即使不引入任何添加劑,通過熱等靜壓燒結,在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的碳化硅超細粉,采用熱等靜壓燒結工藝,在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑碳化硅陶瓷。
另外,Al2O3是熱等靜壓燒結碳化硅陶瓷的有效添加劑。而C的添加對碳化硅陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起作用,過量的C甚至會抑制碳化硅陶瓷的燒結。
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