碳化硅晶體非線性光學(xué)頻率實(shí)驗(yàn)取得新成果
金蒙新材料公司近日從相關(guān)渠道獲悉,中科院物理研究所專家最新研究成果顯示,4H碳化硅晶體在2.5-5.6μm中紅外波段具有較高透過率。通過實(shí)際測(cè)試確定了4H碳化硅晶體的相位匹配條件。
眾所周知,碳化硅原料作為一種重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其本身所具有的高熱導(dǎo)率,飽和電子漂移速率大和擊穿場(chǎng)強(qiáng)高的特點(diǎn),目前已被廣泛應(yīng)用于制備高溫、高頻及大功率電子元器件。
據(jù)悉,之前國(guó)際上還尚未出現(xiàn)有關(guān)碳化硅微粉晶體非線性光學(xué)頻率變化的實(shí)驗(yàn)報(bào)道。中科院物理研究所的專家與教授們通過合作實(shí)驗(yàn),首次獲得了波長(zhǎng)覆蓋3.9-5.6μm的寬譜中紅外激光輸出。因此此項(xiàng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的獲得,有望進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)大功率電子元器件的中紅外激光輸出。
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