21世紀(jì)，是信息技術(shù)大爆發(fā)的時代，在信息技術(shù)快速發(fā)展過程中，必然離不開半導(dǎo)體材料的迅猛發(fā)展。半導(dǎo)體材料、器件的發(fā)展必將引發(fā)一場全新的產(chǎn)業(yè)技術(shù)革命。

以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料在短波長激光器、白光發(fā)光管、高頻大功率器件等方面有廣闊的應(yīng)用，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的一個熱門方向。

碳化硅功率器件不僅能夠在直流、交流輸電，不間斷電源，工業(yè)電機(jī)等傳統(tǒng)工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，而且在新能源汽車、太陽能光伏、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域具有廣闊的潛在市場。

與第一代半導(dǎo)體材料Si和第二代半導(dǎo)體材料GaAs相比，碳化硅具有更優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì)，這些性質(zhì)包括高熱導(dǎo)率、高硬度、耐化學(xué)腐蝕、耐高溫、對光波透明等。

以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。

碳化硅材料優(yōu)異的熱學(xué)特性和抗輻照特性也使其成為制備紫外光電探測器的首選材料之一。

此外，碳化硅基傳感器能夠彌補(bǔ)Si基傳感器在高溫、高壓等惡劣環(huán)境下的性能缺陷，從而擁有更廣闊的適用空間

碳化硅功率器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，帶來體積、重量以及成本的大幅減低。