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第三代半導(dǎo)體碳化硅紫外雪崩單光子探測(cè)器模問世

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:劉坤尚作者:彭國(guó)臣人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-12-29 15:43:00【

  金蒙新材料公司獲悉:我國(guó)半導(dǎo)體新技術(shù)再次取得突破性進(jìn)展——由南京大學(xué)與中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所合作研制而成的第三代半導(dǎo)體碳化硅紫外雪崩單光子探測(cè)器模現(xiàn)已問世。

  其高靈敏度碳化硅紫外雪崩單光子探測(cè)器模塊的成功研制,填補(bǔ)了我國(guó)國(guó)內(nèi)在高性能固態(tài)紫外探測(cè)領(lǐng)域的空白,為我國(guó)進(jìn)一步在高端紫外探測(cè)市場(chǎng)的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

  通過實(shí)驗(yàn)證明,尤其是對(duì)探測(cè)芯片設(shè)計(jì)與制備、封裝測(cè)試到讀出電路的一體化研究,碳化硅單光子紫外探測(cè)模塊現(xiàn)已取得了關(guān)鍵技術(shù)上的顯著突破。其主要性能指標(biāo)均已達(dá)到世界領(lǐng)先水平。例如:其暗電流低于0.01pA,雪崩增益高于106,室溫下的暗計(jì)數(shù)率低于1.8Hz/µm2,單光子探測(cè)效率高于10%;在150ºC高溫下,探測(cè)的暗計(jì)數(shù)率低于7Hz/µm2,單光子探測(cè)效率無明顯變化,能夠很好工作。

  因此,其未來在導(dǎo)彈預(yù)警與跟蹤、紫外通信、生物醫(yī)療、石油頁(yè)巖氣開發(fā)、高速鐵路以及高壓輸電安全領(lǐng)域?qū)⒕哂蟹浅>薮蟮膽?yīng)用潛力。

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