歡迎光顧金蒙新材料官方網(wǎng)站!

山東金蒙新材料股份有限公司

金蒙新材料
國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)
服務(wù)熱線:
4001149319
當(dāng)前位置:首頁(yè) » 金蒙資訊 » 金蒙新材料百科 » 碳化硅在寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用

碳化硅在寬禁帶半導(dǎo)體材料的應(yīng)用

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:黃丹丹人氣:-發(fā)表時(shí)間:2017-10-09 15:46:00【

寬禁帶半導(dǎo)體材料即將主宰電子信息產(chǎn)業(yè)

寬禁帶半導(dǎo)體材料作為一類新型材料,具有獨(dú)特的電、光、聲等特性,其制備的器件具有優(yōu)異的性能,在眾多方面具有廣闊的應(yīng)用前景。它能夠提高功率器件工作溫度極限,使其在更惡劣的環(huán)境下工作;能夠提高器件的功率和效率,提高裝備性能;能夠拓寬發(fā)光光譜,實(shí)現(xiàn)全彩顯示。隨著寬禁帶技術(shù)的進(jìn)步,材料工藝與器件工藝的逐步成熟,其重要性將逐漸顯現(xiàn),在高端領(lǐng)域?qū)⒅鸩饺〈谝淮?、第二代半?dǎo)體材料,成為電子信息產(chǎn)業(yè)的主宰。

在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域就技術(shù)成熟度而言,碳化硅是這族材料中最高的,是寬禁帶半導(dǎo)體的核心。碳化硅材料是IV-IV族半導(dǎo)體化合物,具有寬禁帶(Eg:3.2eV)、高擊穿電場(chǎng)(4×106V/cm)、高熱導(dǎo)率(4.9W/cm.k)等特點(diǎn)。從結(jié)構(gòu)上講,碳化硅材料屬硅碳原子對(duì)密排結(jié)構(gòu),既可以看成硅原子密排,碳原子占其四面體空位;又可看成碳原子密排,硅占碳的四面體空位。對(duì)于碳化硅密排結(jié)構(gòu),由單向密排方式的不同產(chǎn)生各種不同的晶型,業(yè)已發(fā)現(xiàn)約200種。目前最常見應(yīng)用最廣泛的是4H和6H晶型。4H-SiC特別適用于微電子領(lǐng)域,用于制備高頻、高溫、大功率器件;6H-SiC特別適用于光電子領(lǐng)域,實(shí)現(xiàn)全彩顯示。

隨著碳化硅技術(shù)的發(fā)展,其電子器件和電路將為系統(tǒng)解決上述挑戰(zhàn)奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。因此碳化硅材料的發(fā)展將直接影響寬禁帶技術(shù)的發(fā)展。

碳化硅器件和電路具有超強(qiáng)的性能和廣闊的應(yīng)用前景,因此一直受業(yè)界高度重視,基本形成了美國(guó)、歐洲、日本三足鼎立的局面。

此文關(guān)鍵字:碳化硅

相關(guān)資訊