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碳化硅單晶生長爐制造技術(shù)

文章出處:粉體網(wǎng)網(wǎng)責(zé)任編輯:作者:山川人氣:-發(fā)表時(shí)間:2022-03-12 15:37:00【

碳化硅長晶爐是晶體制備的載體,也是晶體生長核心技術(shù)中的熱場(chǎng)和工藝的重要組成部分。針對(duì)不同尺寸、不同導(dǎo)電性能的碳化硅單晶襯底,碳化硅長晶爐需要實(shí)現(xiàn)高真空度、低真空漏率等各項(xiàng)性能指標(biāo),為高質(zhì)量晶體生長提供適合的熱場(chǎng)實(shí)現(xiàn)條件。

碳化硅單晶生長熱場(chǎng)是碳化硅單晶生長的核心,決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場(chǎng)等關(guān)鍵反應(yīng)條件。熱場(chǎng)的配置核心是設(shè)置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度,以保證熱場(chǎng)內(nèi)生長的晶體具有較小的原生內(nèi)應(yīng)力,同時(shí)具備合理可控的生長速率。

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