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美工程師成功研制出高性能碳納米管晶體管

文章出處:原創(chuàng)網(wǎng)責任編輯:劉坤尚作者:彭國臣人氣:-發(fā)表時間:2015-01-19 15:55:00【

  金蒙新材料近日獲悉,美國威斯康辛麥迪森大學的材料工程師們最近在美國化學學會主辦的《Nano》期刊上發(fā)表文章稱他們在創(chuàng)建更高性能的電子產(chǎn)品、獲得更長壽命的電池和彎曲伸展能力方面取得了顯著進展,成功制作出碳納米晶體管比之前最好的碳納米管晶體管的性能要優(yōu)越得多,開關(guān)比是后者的1000倍、導電系數(shù)是后者的100倍。

  碳納米管是碳的單原子薄片卷成的納米筒,跟碳化硅一樣是迄今發(fā)現(xiàn)的最好的半導體材料之一,它長久以來一直被認為是下一代晶體管的替代材料。碳納米管是非常強韌并且具有柔性的材料,可以用于制造柔性顯示器和可以拉伸彎曲的電子設備,這項技術(shù)進展使那些不可能用現(xiàn)有脆性材料制造的新型電子設備成為可能。

  目前,碳化硅作為國際公認的第三代半導體材料,是制造高亮度LED、電力電子功率器件以及射頻微波器件理想的襯底材料。利用碳化硅單晶襯底和外延材料制作的電力電子器件可以在高電壓、大電流、高頻率環(huán)境下工作,具有非常優(yōu)秀性能。

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