由北京天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司和中科院物理所共同起草的兩項(xiàng)碳化硅國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)已成功發(fā)布，并將于2015年9月1日開(kāi)始實(shí)施?！　?br /> 該兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)分別為：　　
1、《碳化硅單晶拋光片》，標(biāo)準(zhǔn)號(hào)GB/T 30656—2014,本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H 及6H 碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、儲(chǔ)存、質(zhì)量證明書(shū)及訂貨單（或合同）內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H 及6H 碳化硅單晶研磨片經(jīng)單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產(chǎn)品主要用于制作半導(dǎo)體LED及電力電子器件的外延襯底?！　?br /> 2、《碳化硅單晶拋光片微管密度無(wú)損檢測(cè)方法》，標(biāo)準(zhǔn)號(hào)GB/T 31351-2014,本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無(wú)損檢測(cè)方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經(jīng)單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在一微米至幾十微米范圍內(nèi)的微管密度的測(cè)量。　　
該兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)填補(bǔ)了碳化硅半導(dǎo)體材料在該技術(shù)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，標(biāo)準(zhǔn)水平達(dá)到同類國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)水平，標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施將規(guī)范我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體材料行業(yè)，從而促進(jìn)該行業(yè)的健康有序發(fā)展，進(jìn)而提升我國(guó)碳化硅半導(dǎo)體企業(yè)在國(guó)際市場(chǎng)上的影響力。另外該兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)也屬于《北京市重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)域和重點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)方向》中的新材料標(biāo)準(zhǔn)范疇，因此標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施也將有助于北京市在碳化硅產(chǎn)業(yè)形成優(yōu)勢(shì)，占領(lǐng)競(jìng)爭(zhēng)制高點(diǎn)。