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金蒙新材為您講解碳化硅是怎么合成的?詳解三

文章出處:原創(chuàng)網責任編輯:黃丹丹作者:王曉人氣:-發(fā)表時間:2016-09-01 16:12:00【

  (一)用金屬硅合成碳化硅
  反應式:Si+C=SiC
  采用高純度金屬硅粉和高純度碳粉(石墨粉)、在真空或保護氣氛下加熱合成。在1150~1250℃元素硅(Si)與碳(C)反應生成β-SiC,具有非晶態(tài)結構,到1350℃開始有β-SiC結晶。在2000℃生成β-SiC結晶。高于2000℃可生成α-SiC。
  用這種方法生產的碳化硅,雖然成本高,但可生產出高純度的碳化硅材料。
  (二)用氣體法合成碳化硅
  用四氯化硅(SiCl4)和碳氫化物(甲苯)反應,在1200~1800℃是生成SiC的最合適的溫度。用化學計量比Si:C=1:1的硅有機化合物,甲基三氯硅烷熱解可制取SiC。在1400~1900℃生成無色的SiC單晶體。
  用這種方法可以生產出高純的半導體、單晶體SiC,可在難熔金屬或其他化合物及石墨制品上制取致密的保護層。還可制取SiC高強度晶須及纖維。
  (三)合成碳化硅的理化性能
  (1)合成碳化硅的國家標準。
  (2)密度:以46號粒度為代表號綠碳化硅不小于3.18g/cm3;黑碳化硅不小于3.12g/cm3;
  (3)粒度組成:應符合GB/T2477-1981《磨料粒度及其組成》的規(guī)定;
  (4)鐵合金粒允許含量為零;
  (5)磁性物允許含量:不大于0.2%。

此文關鍵字:碳化硅