如果問近期哪種工業(yè)原材料最受矚目？碳化硅材料無疑是最炙手可熱的一種。以SiC碳化硅為代表的第三代半導體具有寬禁帶、高熱導率，高擊穿場，高飽和電子漂移速率，化學性能穩(wěn)定，硬度高，抗磨損，高鍵和高能量以及抗輻射等優(yōu)點，因此碳化硅成為制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料。

據(jù)某企業(yè)征信機構(gòu)網(wǎng)站資料顯示，華為旗下全資子公司哈勃科技投資有限公司，近日投資了山東天岳先進材料科技有限公司，持股10%（位列第二股東）。山東天岳是一家以碳化硅晶體襯底材料生產(chǎn)研發(fā)為主的國內(nèi)第三代半導體材料企業(yè)。該企業(yè)成立2011年12月，是全球第4家碳化硅襯底材料量產(chǎn)的企業(yè)，同時具備了導電型和高純半絕緣兩種工藝，尺寸覆蓋2-6英寸。2016年，山東天岳“寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈項目”被國家發(fā)展改革委納入《國家集成電路“十三五”重大生產(chǎn)力布局》項目。

有業(yè)內(nèi)人士認為“得碳化硅者得天下”！甚至可以說，無碳化硅難5G。我國及全球5G網(wǎng)絡(luò)正在大規(guī)模建設(shè)中。大數(shù)據(jù)傳輸、云計算、AI技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)，包括下一步的能源傳輸，對網(wǎng)絡(luò)傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。碳化硅的綜合性能較硅材料可提升上千倍，被譽為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”，是光電子和微電子等產(chǎn)業(yè)的“新發(fā)動機”。

以未來長遠眼光看，這次華為布局投資碳化硅半導體公司可視為其在材料領(lǐng)域中進行戰(zhàn)略投資重要的一環(huán)，意義非凡。我們期待未來碳化硅材料實現(xiàn)量產(chǎn)后，將打破國外壟斷，推動國內(nèi)5G芯片技術(shù)和生產(chǎn)能力的提升。