眾所周知，目前，以碳化硅材料為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的研討和開(kāi)發(fā)已經(jīng)成為越來(lái)越多國(guó)家政府的重視和關(guān)注。

　　正是由于采用碳化硅材料制作而成的半導(dǎo)體產(chǎn)品可用于制作大功率、高熱導(dǎo)率的高頻率微波器材、功率器材和照明器材，而且具有十分明顯的功能優(yōu)勢(shì)和無(wú)窮的工業(yè)推動(dòng)效果，歐美日等發(fā)達(dá)國(guó)家和地區(qū)政府都紛紛把研發(fā)碳化硅半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略，投入巨資進(jìn)行扶持發(fā)展。

　　目前，碳化硅半導(dǎo)體材料主要被應(yīng)用于太陽(yáng)能光伏、風(fēng)力發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)以及節(jié)能家電產(chǎn)品等行業(yè)領(lǐng)域。尤其是在LED照明領(lǐng)域的應(yīng)用，采用碳化硅替代藍(lán)寶石作為L(zhǎng)ED襯底材料以后，能夠?qū)⒃械腖ED照明元件使用數(shù)量減少三分之一以上，成本下降近50%而亮度卻提高兩倍，導(dǎo)熱功能也提高10倍以上。