碳化硅電力電子器件發(fā)展中的難題分析[ 05-18 16:25 ]

1.碳化硅晶片的微管缺陷密度。微管是一種肉眼都可以看得見的宏觀缺陷，在碳化硅晶體生長技術(shù)發(fā)展到能徹底消除微管缺陷之前，大功率電力電子器件就難以用碳化硅來制造。盡管優(yōu)質(zhì)晶片的微管密度已達(dá)到不超過15cm-2 的水平。但器件制造要求直徑超過100mm的碳化硅晶體，微管密度低于0.5cm-2 。 2.外延工藝效率低。碳化硅的氣相同質(zhì)外延一般要在1500℃以上的高溫下進(jìn)行。由于有升華的問題，溫度不能太高，一般不能超過1800℃，因而生長速率較低。液相外延溫度較低、速率較高，但產(chǎn)量較低。 3.摻雜工藝有特殊要求。如用擴(kuò)散

最新碳化硅價(jià)格與走勢(shì)[ 05-02 15:40 ]

最近很多客戶問我們業(yè)務(wù)員，碳化硅的價(jià)格怎么又高了？

金蒙新材料參加第十一屆國際太陽能產(chǎn)業(yè)及光伏工程展覽會(huì)[ 04-21 16:30 ]

碳化硅精細(xì)微粉作為一種新型的多復(fù)合性功能材料，近年來被廣泛應(yīng)用于高端太陽能、半導(dǎo)體切割研磨、LED、非金屬陶瓷、高性能密封環(huán)等領(lǐng)域。

金蒙新材料邀您參加2017年春季全國磨料磨具會(huì)！[ 03-22 13:28 ]

碳化硅陶瓷制品高新技術(shù)無機(jī)非金屬材料領(lǐng)域產(chǎn)品，國外稱這類材料為先進(jìn)陶瓷，高技術(shù)陶瓷、精密陶瓷、工程陶瓷、結(jié)構(gòu)陶瓷，其制造工藝包括SIC粉體制備、粉體成型、胚體燒結(jié)和機(jī)械精加工。

碳化硅器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景分析[ 03-13 15:54 ]

碳化硅器件在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景分析